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FDC602P

FDC602P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC602P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Weitere Produktangebote FDC602P nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDC602P FDC602P ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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10+0.95 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC602P FDC602P onsemi fdc602p-d.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
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2+1.8 EUR
10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
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FDC602P FDC602P onsemi fdc602p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
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12+1.8 EUR
19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC602P FDC602P ONSEMI ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 22110 Stücke:
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117+2.15 EUR
187+1.25 EUR
286+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.55 EUR
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FDC602P FDC602P ONSEMI ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 22110 Stücke:
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187+1.25 EUR
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FDC602P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC602P
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Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.4 EUR
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AnzahlPrivatkunde
1331+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
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Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2990 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
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10+0.95 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
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MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
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10+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
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Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
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19+1.12 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC602P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 22110 Stücke:
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187+1.25 EUR
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500+0.65 EUR
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDC602P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 22110 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
117+2.15 EUR
187+1.25 EUR
286+0.75 EUR
500+0.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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