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FDC608PZ

FDC608PZ ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Technische Details FDC608PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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527+0.32 EUR
544+0.31 EUR
553+0.3 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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510+0.33 EUR
518+0.32 EUR
527+0.31 EUR
535+0.29 EUR
544+0.27 EUR
553+0.25 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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519+0.33 EUR
562+0.3 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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1557+0.42 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ onsemi / Fairchild FDC608PZ-D.PDF MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 156932 Stücke:
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6+0.63 EUR
10+0.48 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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272+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI FDC608PZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.79 EUR
136+0.63 EUR
154+0.56 EUR
205+0.42 EUR
229+0.37 EUR
258+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ onsemi fdc608pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
28+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ onsemi fdc608pz-d.pdf MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
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10+0.79 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 13259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
317+0.68 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ ONSEMI 2304599.pdf Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 13259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
317+0.68 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.6 EUR
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ ON Semiconductor fdc608pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDC608PZ ON-Semiconductor fdc608pz-d.pdf P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC608PZ
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Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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9000+0.29 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
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527+0.32 EUR
544+0.31 EUR
553+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 527 Stücke
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
510+0.33 EUR
518+0.32 EUR
527+0.31 EUR
535+0.29 EUR
544+0.27 EUR
553+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 510 Stücke
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
519+0.33 EUR
562+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
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FDC608PZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1557+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1557 Stücke
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FDC608PZ FDC608PZ-D.PDF
FDC608PZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 156932 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.63 EUR
10+0.48 EUR
100+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC608PZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.8A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
109+0.79 EUR
136+0.63 EUR
154+0.56 EUR
205+0.42 EUR
229+0.37 EUR
258+0.33 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC608PZ fdc608pz-d.pdf
FDC608PZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.8A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 10 V
auf Bestellung 9189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+1.57 EUR
28+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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FDC608PZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 145851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.65 EUR
10+0.79 EUR
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC608PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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FDC608PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC608PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC608PZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.8A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON-Semiconductor
P-MOSFET 5.8A 20V 0.8W 0.03Ω FDC608PZ TFDC608PZ
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
40+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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