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FDC6312P

FDC6312P ON Semiconductor

fdc6312p-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
332+0.52 EUR
334+0.51 EUR
360+0.46 EUR
364+0.45 EUR
500+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
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Technische Details FDC6312P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote FDC6312P nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC6312P FDC6312P onsemi FDC6312P-D.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312P FDC6312P ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312P FDC6312P ON Semiconductor fdc6312pd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312P FDC6312P ONSEMI FDC6312P.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.51 EUR
74+1.15 EUR
84+1.02 EUR
113+0.75 EUR
129+0.67 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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FDC6312P FDC6312P onsemi / Fairchild FDC6312P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
auf Bestellung 7716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC6312P FDC6312P onsemi FDC6312P-D.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
auf Bestellung 13527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
160+1.45 EUR
243+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDC6312P FDC6312P ONSEMI 2304008.pdf Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
160+1.45 EUR
243+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.58 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 0.96W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.96W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 2474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+1.51 EUR
74+1.15 EUR
84+1.02 EUR
113+0.75 EUR
129+0.67 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH DUAL
auf Bestellung 7716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.89 EUR
10+1.21 EUR
100+0.81 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 467pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
auf Bestellung 13527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.31 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FDC6312P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
160+1.45 EUR
243+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6312P 2304008.pdf
FDC6312P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6312P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.3 A
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
160+1.45 EUR
243+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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