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FDC6320C

FDC6320C ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.12A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC6320C ON Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Power - Max: 700mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 120mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
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FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
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Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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