Weitere Produktangebote FDC6321C nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 5792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Case: SuperSOT-6 Gate charge: 2.3/1.5nC Drain current: 0.68/-0.46A On-state resistance: 720/1220mΩ Power dissipation: 0.9W Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 25/-25V Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 5792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : onsemi |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH |
auf Bestellung 8605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH |
auf Bestellung 6797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
auf Bestellung 29915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6321C | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 9235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDC6321C | Hersteller : ONS/FAI |
SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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