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FDC6321C

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.38 EUR
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FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 90000 Stücke:
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3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5792 Stücke:
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243+0.73 EUR
289+0.61 EUR
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1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
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289+0.55 EUR
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FDC6321C FDC6321C onsemi / Fairchild FDC6321C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
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FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C FDC6321C onsemi FDC6321C-D.PDF Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 92463 Stücke:
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12+1.76 EUR
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FDC6321C FDC6321C ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
215+1.08 EUR
293+0.74 EUR
500+0.56 EUR
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FDC6321C FDC6321C ONSEMI ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
142+1.76 EUR
215+1.08 EUR
293+0.74 EUR
500+0.56 EUR
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FDC6321C FDC6321C ON Semiconductor fdc6321c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 238 Stücke:
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FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.35 EUR
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FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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21000+0.27 EUR
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FDC6321C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+0.73 EUR
289+0.61 EUR
291+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 243 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.51 EUR
186+0.92 EUR
243+0.68 EUR
289+0.55 EUR
291+0.52 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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FDC6321C
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.94 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FDC6321C
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-6 COMP N-P-CH
auf Bestellung 11884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC6321C
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA, 460mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
auf Bestellung 92463 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
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1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDC6321C ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6321C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
215+1.08 EUR
293+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C ONSM-S-A0014832230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6321C
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6321C - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 680 mA, 460 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 680mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
142+1.76 EUR
215+1.08 EUR
293+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 142 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDC6321C fdc6321c-d.pdf
FDC6321C
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.68A/0.46A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH