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Technische Details FDC634P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote FDC634P nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.65 EUR
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 20971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC634P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 P-CH -20V |
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FDC634P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC634P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
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FDC634P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SuperSOT-6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Gate charge: 10nC On-state resistance: 0.13Ω Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 1.6W Kind of channel: enhancement Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape |
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