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Technische Details FDC6392S ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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FDC6392S | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6392S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 56481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6392S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6392S | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDC6392S | Hersteller : FAI |
SOT-163 |
auf Bestellung 4087 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDC6392S | Hersteller : FAIRCHILD |
05+ SOT163 |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDC6392S | Hersteller : FAIRCHILD |
SOT163 |
auf Bestellung 189790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDC6392S | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC6392S - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDC6392S | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin TSOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6392S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDC6392S | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 4.5V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 10 V |
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