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FDC653N

FDC653N ON Semiconductor

fdc653n-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC653N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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FDC653N FDC653N Hersteller : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653N FDC653N Hersteller : onsemi fdc653n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
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FDC653N FDC653N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1890 Stücke:
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Anzahl Preis
143+0.5 EUR
153+0.47 EUR
163+0.44 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 143
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FDC653N FDC653N Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE3B8B1706DE28&compId=FDC653N.pdf?ci_sign=35c36290ed188157eb81f3277826b6f37045f50a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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153+0.47 EUR
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FDC653N FDC653N Hersteller : onsemi / Fairchild FDC653N-D.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
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FDC653N FDC653N Hersteller : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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930+0.59 EUR
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FDC653N FDC653N Hersteller : ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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930+0.59 EUR
1009+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 930
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FDC653N FDC653N Hersteller : onsemi fdc653n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
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26+0.69 EUR
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FDC653N FDC653N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDC653N FDC653N Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDC653N FDC653N Hersteller : ON Semiconductor fdc653ncn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653N Hersteller : On Semiconductor/Fairchild fdc653n-d.pdf N-CH 30V 5A SSOT-6
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