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FDC653N

FDC653N ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Technische Details FDC653N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

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FDC653N FDC653N ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653N FDC653N Fairchild Semiconductor FAIRS25139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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FDC653N FDC653N ONS/FAI FDC653N-D.pdf FAIRS25139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори
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FDC653N FDC653N onsemi FDC653N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
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FDC653N FDC653N onsemi FDC653N-D.pdf FAIRS25139-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
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2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.89 EUR
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FDC653N FDC653N ONSEMI ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
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78+3.22 EUR
162+1.44 EUR
197+1.08 EUR
500+0.89 EUR
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FDC653N FDC653N ONSEMI ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
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100+3.22 EUR
162+1.44 EUR
197+1.08 EUR
500+0.89 EUR
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FDC653N FDC653N ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653N FDC653N ONSEMI FDC653N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
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FDC653N FDC653N ON Semiconductor fdc653n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
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FDC653N
Hersteller: FAIRCHILD
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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1009+0.65 EUR
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FDC653N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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930+0.71 EUR
1009+0.65 EUR
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FDC653N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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230+0.77 EUR
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1000+0.63 EUR
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FDC653N
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
auf Bestellung 2505 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 669 Stücke
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FDC653N
Hersteller: ONS/FAI
N-CH 30V 5A SSOT-6 Транзистори
auf Bestellung 35 Stücke:
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FDC653N
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
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FDC653N
Hersteller: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 30V
auf Bestellung 43550 Stücke:
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2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.89 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDC653N ONSM-S-A0014515303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC653N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
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78+3.22 EUR
162+1.44 EUR
197+1.08 EUR
500+0.89 EUR
1500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FDC653N
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC653N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 2595 Stücke:
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100+3.22 EUR
162+1.44 EUR
197+1.08 EUR
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FDC653N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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FDC653N
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16nC
auf Bestellung 467 Stücke:
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FDC653N
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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