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FDD13AN06A0-F085

FDD13AN06A0-F085 onsemi / Fairchild

fdd13an06_f085-d.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
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Technische Details FDD13AN06A0-F085 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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FDD13AN06A0-F085 FDD13AN06A0-F085 Hersteller : onsemi fdd13an06_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FDD13AN06A0_F085 FDD13AN06A0_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDD13AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
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FDD13AN06A0_F085 FDD13AN06A0_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDD13AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
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FDD13AN06A0-F085 FDD13AN06A0-F085 Hersteller : onsemi fdd13an06_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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FDD13AN06A0-F085 Hersteller : ONSEMI fdd13an06_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 115W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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