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FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ onsemi

FDD1600N10ALZ-D.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.76 EUR
5000+0.71 EUR
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Technische Details FDD1600N10ALZ onsemi

Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 14.9W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.75 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
670+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 670 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ UMW 1a1446e0ce09f4844c01b175b46b2780.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ-D.pdf 1a1446e0ce09f4844c01b175b46b2780.pdf MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
auf Bestellung 13195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.77 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ onsemi FDD1600N10ALZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
auf Bestellung 22247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
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500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ONSEMI 2572505.pdf Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ ON Semiconductor fdd1600n10alzd.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
185+0.94 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1486 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDD1600N10ALZ
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2379 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
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FDD1600N10ALZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
auf Bestellung 13195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDD1600N10ALZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
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11+1.92 EUR
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FDD1600N10ALZ 2572505.pdf
FDD1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
76+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDD1600N10ALZ 2572505.pdf
FDD1600N10ALZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD1600N10ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 14.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
125+1.87 EUR
179+1.2 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDD1600N10ALZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDD1600N10ALZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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