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FDD1600N10ALZ onsemi


FDD1600N10ALZ-D.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
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Technische Details FDD1600N10ALZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V.

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FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ UMW ab44999c83703219b46cb337c55306e3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
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Hersteller: UMW
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Hersteller: onsemi / Fairchild
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Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
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Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
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