FDD2512 ON Semiconductor


fdd2512.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDD2512 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 42W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote FDD2512 nach Preis ab 1.68 EUR bis 2.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD2512 FDD2512 ON Semiconductor fdd2512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 FDD2512 ON Semiconductor fdd2512.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 FDD2512 Fairchild Semiconductor FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
252+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 ONSEMI FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD2512 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 fairchild FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2512.pdf to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 fdd2512.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 fdd2512.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 6.7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
252+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD2512 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDD2512 FAIRS43387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2512.pdf
Hersteller: fairchild
to-252/d-pak
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH