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FDD2612

FDD2612 Fairchild Semiconductor

FAIRS35177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
auf Bestellung 2261 Stücke:
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Technische Details FDD2612 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDD2612 Hersteller : FAIRCHILD FAIRS35177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2612.pdf 07+ TO-252
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FDD2612 Hersteller : FAIRCHILD FAIRS35177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2612.pdf D-PAK/ TO-252
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FDD2612 Hersteller : FAIRCHILD FAIRS35177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2612.pdf TO-252
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FDD2612 Hersteller : fairchild FAIRS35177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDD2612.pdf to-252/d-pak
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FDD2612 FDD2612 Hersteller : onsemi FDD2612.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
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