FDD2670 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 1.24 EUR |
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Technische Details FDD2670 onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote FDD2670 nach Preis ab 1.29 EUR bis 4.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDD2670 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-CH 200V 18A Q-FET |
auf Bestellung 3078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD2670 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1228 pF @ 100 V |
auf Bestellung 6774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDD2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDD2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
07+ TO-252 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDD2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
D-PAK/ TO-252 |
auf Bestellung 9500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDD2670 | Hersteller : FAIRCHILD |
TO-252 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FDD2670 | Hersteller : fairchild |
to-252/d-pak |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDD2670 Produktcode: 126745
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FDD2670 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD2670 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDD2670 | Hersteller : ONSEMI |
FDD2670 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |