FDD3670 Vbsemi
Produktcode: 221616
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Vbsemi
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2600/35
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| 10+ | 1.94 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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FDD3670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3670 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3670 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V NCh PowerTrench |
auf Bestellung 11326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD3670 | onsemi |
MOSFETs 100V NCh PowerTrench |
auf Bestellung 11197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD3670 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD3670 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
auf Bestellung 1154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD3670 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDD3670 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 99+ | 1.75 EUR |
| FDD3670 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| FDD3670 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 61+ | 2.82 EUR |
| 77+ | 2.21 EUR |
| 115+ | 1.45 EUR |
| FDD3670 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 11326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 2500+ | 1.32 EUR |
| FDD3670 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
auf Bestellung 11197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.61 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.62 EUR |
| 1000+ | 1.49 EUR |
| 2500+ | 1.45 EUR |
| 5000+ | 1.38 EUR |
| FDD3670 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
auf Bestellung 1222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.76 EUR |
| 10+ | 3.06 EUR |
| 50+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.08 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| FDD3670 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
Description: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 1154 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 5.59 EUR |
| 68+ | 3.44 EUR |
| 100+ | 2.19 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| FDD3670 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)