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FDD3860

FDD3860 onsemi

fdd3860-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 22500 Stücke:
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Technische Details FDD3860 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD3860 FDD3860 onsemi / Fairchild FDD3860_D-1807052.pdf MOSFETs 100V N-Channel Power Trench
auf Bestellung 38285 Stücke:
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3+1.27 EUR
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500+0.99 EUR
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FDD3860 FDD3860 onsemi fdd3860-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
12+1.77 EUR
100+1.25 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDD3860 FDD3860 Fairchild info-tfdd3860.pdf N-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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FDD3860 FDD3860 ON Semiconductor fdd3860-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD3860 ONSEMI FAIR-S-A0002365600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
717+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 717 Stücke
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
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FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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