FDD390N15A ON Semiconductor
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Technische Details FDD390N15A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDD390N15A nach Preis ab 0.6 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD390N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V |
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FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD390N15A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 100/20V NCH |
auf Bestellung 28633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD390N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V |
auf Bestellung 9870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD390N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD390N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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FDD390N15A Produktcode: 101241
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FDD390N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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