FDD390N15A
Produktcode: 101241
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FDD390N15A nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDD390N15A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Pulsed drain current: 104A Power dissipation: 63W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
FDD390N15A | onsemi |
MOSFETs PT5 100/20V NCH |
auf Bestellung 21386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V |
auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 1588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
FDD390N15A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 63W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
auf Bestellung 1588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 168+ | 1.05 EUR |
| 170+ | 1.02 EUR |
| 175+ | 0.98 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.06 EUR |
| 5000+ | 0.99 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 146+ | 1.2 EUR |
| 168+ | 1.01 EUR |
| 170+ | 0.96 EUR |
| 175+ | 0.9 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.59 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 1.59 EUR |
| 135+ | 1.26 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 1.99 EUR |
| 57+ | 1.51 EUR |
| 65+ | 1.31 EUR |
| 86+ | 1 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 250+ | 0.86 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 2.13 EUR |
| 250+ | 1.81 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 100/20V NCH
MOSFETs PT5 100/20V NCH
auf Bestellung 21386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 2.51 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 3.97 EUR |
| 125+ | 1.87 EUR |
| 162+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |
| FDD390N15A |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.97 EUR |
| 125+ | 1.87 EUR |
| 162+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.21 EUR |
| 1000+ | 1.11 EUR |




