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FDD5670

FDD5670 Fairchild

fdd5670datasheet.pdf
Produktcode: 98991
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-252
Uds,V: 60
Idd,A: 52
Rds(on), Ohm: 15 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2739/52
JHGF: SMD
auf Bestellung 22 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD5670 FDD5670 Hersteller : onsemi fdd5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2739 pF @ 15 V
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FDD5670 FDD5670 Hersteller : onsemi fdd5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2739 pF @ 15 V
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FDD5670 FDD5670 Hersteller : onsemi / Fairchild FDD5670_D-2311972.pdf MOSFET 60V N-Ch PowerTrench
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SMBJ30CA-TR
Produktcode: 25540
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description cd00001366-datasheet.pdf
SMBJ30CA-TR
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
P, Wt: 600
U Durchbruch: 30
n: 30 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: SMD
auf Bestellung 1586 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.16 EUR
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SS443A HONEY
Produktcode: 23551
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SS4ddsd.pdf
SS443A HONEY
Hersteller: Honeywell
Aktive Bauelemente > Sensoren
Gehäuse: TO-92
Beschreibung: Hall-Sensor unipolar
Ausgang/Schnittstelle: Digital
Versorgung: 3,8...30V
Temperatur: -40...+150°C
Тип датчика: Датчик Холла
Тип монтажа: THT
auf Bestellung 55 Stück:
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10+1.40 EUR
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BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 34739 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.02 EUR
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GS1M
Produktcode: 10927
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GS1A-GS1M.pdf
GS1M
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 4 Stück:
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1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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47uF 200V ECR 13x21mm (ECR470M2DB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3338
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ECR_081225.pdf
47uF 200V ECR 13x21mm (ECR470M2DB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 200V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 13х21mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 860 Stück:
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