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Technische Details FDD6685 UMW
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.014 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDD6685 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 14095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 12302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7369 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.014 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.014 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7766 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDD6685 | Hersteller : ONSEMI |
FDD6685 SMD P channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6685 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
Produkt ist nicht verfügbar |