FDD6685 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.73 EUR |
| 5000+ | 0.68 EUR |
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Technische Details FDD6685 onsemi
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDD6685 nach Preis ab 0.29 EUR bis 2.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 11295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V P-Channel PowerTrench |
auf Bestellung 2276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715 pF @ 15 V |
auf Bestellung 5478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD6685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6685 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDD6685 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDD6685 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -40A Power dissipation: 52W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |