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FDD7N60NZTM

FDD7N60NZTM ONSEMI

ONSM-S-A0003584048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 769 Stücke:
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Technische Details FDD7N60NZTM ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD7N60NZTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 1.05 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM ON Semiconductor fdu7n60nztu.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM ON Semiconductor fdu7n60nztu.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD7N60NZTM FDD7N60NZTM onsemi / Fairchild FDU7N60NZTU_D-1808470.pdf MOSFET N-Channel 600V 5.5A
auf Bestellung 12403 Stücke:
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10+2.39 EUR
100+2.01 EUR
250+1.83 EUR
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