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FDD8444L

FDD8444L ON Semiconductor

fdd8444l_f085-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details FDD8444L ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Grade: Automotive, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote FDD8444L nach Preis ab 1.81 EUR bis 3.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FDD8444L FDD8444L Fairchild Semiconductor FAIRS27347-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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168+3.21 EUR
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FDD8444L ONSEMI FAIRS27347-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDD8444L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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297+3.09 EUR
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Packaging: Bulk
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
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Qualification: AEC-Q101
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tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
hazardous: false
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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