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FDD86113LZ

FDD86113LZ UMW

828b71cd6bb758f0811d4c611ceb33df.pdf
Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details FDD86113LZ UMW

Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 29W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86113LZ FDD86113LZ ON Semiconductor fdd86113lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDD86113LZ FDD86113LZ ON Semiconductor fdd86113lz-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86113LZ FDD86113LZ onsemi FDD86113LZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.9 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ ONSEMI 2729256.pdf Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.34 EUR
139+1.55 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ onsemi / Fairchild FDD86113LZ-D.pdf 828b71cd6bb758f0811d4c611ceb33df.pdf MOSFETs 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.86 EUR
100+1.36 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ onsemi FDD86113LZ-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
auf Bestellung 13246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ ONSEMI FDD86113LZ-D.pdf 828b71cd6bb758f0811d4c611ceb33df.pdf Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
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64+3.93 EUR
101+2.32 EUR
150+1.44 EUR
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1000+1.12 EUR
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FDD86113LZ fdd86113lz-d.pdf
FDD86113LZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.87 EUR
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FDD86113LZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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FDD86113LZ 2729256.pdf
FDD86113LZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.34 EUR
139+1.55 EUR
500+1.26 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ-D.pdf 828b71cd6bb758f0811d4c611ceb33df.pdf
FDD86113LZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5489 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.64 EUR
10+1.86 EUR
100+1.36 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.02 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ-D.pdf
FDD86113LZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 50 V
auf Bestellung 13246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDD86113LZ FDD86113LZ-D.pdf 828b71cd6bb758f0811d4c611ceb33df.pdf
FDD86113LZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86113LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.5 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+3.93 EUR
101+2.32 EUR
150+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH