Technische Details FDD86250-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 160W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm.
Weitere Produktangebote FDD86250-F085 nach Preis ab 1.32 EUR bis 6.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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FDD86250-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 160W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 160W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm |
auf Bestellung 6134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | onsemi |
MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM |
auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDD86250-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 160W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm |
auf Bestellung 6134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDD86250-F085 | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.42 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.64 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.64 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.64 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.06 EUR |
| 92+ | 1.81 EUR |
| 93+ | 1.74 EUR |
| 104+ | 1.49 EUR |
| 250+ | 1.43 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 2.06 EUR |
| 92+ | 1.84 EUR |
| 93+ | 1.8 EUR |
| 104+ | 1.57 EUR |
| 250+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
auf Bestellung 6134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
MOSFETs NMOS DPAK 150V 22 MOHM
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.46 EUR |
| 10+ | 3.17 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |
| 2500+ | 1.7 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.38 EUR |
| 10+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 2.42 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
Description: ONSEMI - FDD86250-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.0194 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 160W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
auf Bestellung 6134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.93 EUR |
| 56+ | 4.18 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| FDD86250-F085 |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)




