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FDD86367-F085

FDD86367-F085 onsemi / Fairchild

fdd86367_f085-d.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
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Technische Details FDD86367-F085 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : ONSEMI 2859349.pdf Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : ONSEMI 2859349.pdf Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86367_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86367_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86367_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86367-F085 Hersteller : ONSEMI fdd86367_f085-d.pdf FDD86367-F085 SMD N channel transistors
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : onsemi fdd86367_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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FDD86367-F085 FDD86367-F085 Hersteller : onsemi fdd86367_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4840 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
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