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FDD86567-F085

FDD86567-F085 onsemi

fdd86567_f085-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 2500
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Technische Details FDD86567-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : onsemi / Fairchild fdd86567_f085-d.pdf MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
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Anzahl Preis
1+4.05 EUR
10+2.25 EUR
100+1.9 EUR
500+1.72 EUR
1000+1.66 EUR
2500+1.53 EUR
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : onsemi fdd86567_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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4+5.09 EUR
10+3.31 EUR
100+2.3 EUR
500+1.86 EUR
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 13354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDD86567_F085 FDD86567_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDD86567_F085 FDD86567_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 13354 Stücke:
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDD86567_F085 FDD86567_F085 Hersteller : Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 Hersteller : ONSEMI fdd86567_f085-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 227W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 227W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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