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FDD86567-F085

FDD86567-F085 ONSEMI

ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.27 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details FDD86567-F085 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86567-F085 FDD86567-F085 ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.94 EUR
10000+2.65 EUR
15000+2.42 EUR
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 ON Semiconductor fdd86567_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 onsemi / Fairchild FDD86567_F085-D.PDF MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.68 EUR
100+2.26 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.98 EUR
2500+1.82 EUR
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178697-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
79+2.98 EUR
100+2.27 EUR
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1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDD86567-F085 FDD86567-F085 onsemi FDD86567_F085-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.39 EUR
10+4.15 EUR
100+2.89 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FDD86567_F085 FDD86567_F085 Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
auf Bestellung 1922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDD86567_F085 FDD86567_F085 Fairchild Semiconductor FDD86567_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
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FDD86567-F085
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 60V, 100A, 2.6mO, DPAK
N-Channel PowerTrench
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FDD86567-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86567-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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hazardous: false
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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FDD86567-F085
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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4+6.39 EUR
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
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Hersteller: Fairchild Semiconductor
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