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FDD86569-F085

FDD86569-F085 onsemi

fdd86569_f085-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details FDD86569-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86569-F085 FDD86569-F085 ON Semiconductor fdd86569_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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FDD86569-F085 FDD86569-F085 onsemi / Fairchild FDD86569_F085_D-2312138.pdf MOSFETs 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET
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10+2.12 EUR
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500+1.4 EUR
1000+1.14 EUR
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FDD86569-F085 FDD86569-F085 onsemi fdd86569_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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FDD86569-F085 FDD86569-F085 ON Semiconductor fdd86569_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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MOSFETs 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET
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Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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