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FDD86580-F085

FDD86580-F085 onsemi / Fairchild

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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 60/20V 1000A NCnl PowerTrench MOSFET
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Technische Details FDD86580-F085 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDD86580-F085 FDD86580-F085 ONSEMI fdd86580_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2582 Stücke:
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FDD86580-F085 FDD86580-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDD86580-F085 fdd86580_f085-d.pdf
FDD86580-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDD86580-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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