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Technische Details FDG1024NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 360mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDG1024NZ nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.67 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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FDG1024NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG1024NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
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FDG1024NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
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FDG1024NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual PT4 N 20/8V |
auf Bestellung 21481 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG1024NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
auf Bestellung 9232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG1024NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm Verlustleistung, p-Kanal: 360mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG1024NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDG1024NZ | Hersteller : On Semiconductor/Fairchild |
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG1024NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 389mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FDG1024NZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 389mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.6nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD |
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