Technische Details FDG327N ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, Power dissipation: 0.42W, Case: SC70-6; SC88; SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.115Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote FDG327N
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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FDG327N | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 20V N-Ch PowerTrench |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| FDG327N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDG327N | Hersteller : ON Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDG327N | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.42W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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