Technische Details FDG6301N-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Power - Max: 300mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| FDG6301N_F085 |
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