Technische Details FDG6308P onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 600, Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 300, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: PowerTrench, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 900, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote FDG6308P
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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FDG6308P | ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
auf Bestellung 5928 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDG6308P | ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDG6308P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
auf Bestellung 5928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| FDG6308P |
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Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)



