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FDG8850NZ

FDG8850NZ ON Semiconductor

fdg8850nz-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
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3000+0.29 EUR
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Technische Details FDG8850NZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG8850NZ FDG8850NZ onsemi fdg8850nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.39 EUR
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FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.51 EUR
429+0.4 EUR
432+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG8850NZ FDG8850NZ ON Semiconductor fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 5370 Stücke:
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270+0.64 EUR
335+0.5 EUR
337+0.48 EUR
429+0.36 EUR
432+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
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FDG8850NZ FDG8850NZ onsemi / Fairchild FDG8850NZ_D-2312505.pdf MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
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3+1.37 EUR
10+0.88 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG8850NZ FDG8850NZ onsemi fdg8850nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
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FDG8850NZ FDG8850NZ ONSEMI 2304522.pdf Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDG8850NZ FDG8850NZ ONSEMI 2304522.pdf Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FDG8850NZ Aptina Imaging fdg8850nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG8850NZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
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FDG8850NZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
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FDG8850NZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 5370 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
337+0.51 EUR
429+0.4 EUR
432+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
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FDG8850NZ
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
270+0.64 EUR
335+0.5 EUR
337+0.48 EUR
429+0.36 EUR
432+0.35 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
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FDG8850NZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
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10+0.88 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.37 EUR
9000+0.32 EUR
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FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
FDG8850NZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDG8850NZ 2304522.pdf
FDG8850NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDG8850NZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 99 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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FDG8850NZ fdg8850nz-d.pdf
Hersteller: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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