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Technische Details FDG8850NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDG8850NZ nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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FDG8850NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 5370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 5370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 95783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
auf Bestellung 4382 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG8850NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDG8850NZ | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDG8850NZ | Hersteller : ONSEMI |
FDG8850NZ Multi channel transistors |
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