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FDH055N15A

FDH055N15A ON Semiconductor

fdh055n15a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FDH055N15A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 429W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDH055N15A FDH055N15A ON Semiconductor fdh055n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH055N15A FDH055N15A onsemi / Fairchild FDH055N15A-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDH055N15A FDH055N15A onsemi fdh055n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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FDH055N15A FDH055N15A ON Semiconductor fdh055n15a-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH055N15A FDH055N15A ONSEMI 4189470.pdf Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 4800 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 290 Stücke:
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12+20.87 EUR
15+16.17 EUR
18+11.97 EUR
50+10.45 EUR
100+9.94 EUR
250+9.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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FDH055N15A Fairchild/ON Semiconductor fdh055n15a-d.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 167 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7100 @ 75, Qg, нКл = 92, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 429, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
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Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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