FDH055N15A ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 8.65 EUR |
| 30+ | 5.97 EUR |
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Technische Details FDH055N15A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 156A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDH055N15A nach Preis ab 5.72 EUR bis 13.32 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FDH055N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; 429W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 118A Power dissipation: 429W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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FDH055N15A | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 3549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V |
auf Bestellung 18239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 156A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDH055N15A | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 167A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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