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FDH055N15A

FDH055N15A onsemi / Fairchild

FDH055N15A-D.PDF
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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Technische Details FDH055N15A onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 429W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDH055N15A FDH055N15A onsemi fdh055n15a-d.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDH055N15A FDH055N15A onsemi fdh055n15a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 158A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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FDH055N15A Fairchild/ON Semiconductor fdh055n15a-d.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 167 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7100 @ 75, Qg, нКл = 92, Rds = 4,8 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 429, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9445 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 120A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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Package / Case: TO-247-3
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