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FDH44N50

FDH44N50 ON Semiconductor

fdh44n50-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FDH44N50 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDH44N50 FDH44N50 Hersteller : ON Semiconductor fdh44n50-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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FDH44N50 FDH44N50 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECF27B2F908FE28&compId=FDH44N50.pdf?ci_sign=f34f5aca0814e064482869ac42475d184cc1b75f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: UniFET™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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7+10.8 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 44A; 750W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 750W
Case: TO247
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FDH44N50 FDH44N50 Hersteller : onsemi / Fairchild fdh44n50-d.pdf MOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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FDH44N50 FDH44N50 Hersteller : onsemi fdh44n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V
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FDH44N50 FDH44N50 Hersteller : ONSEMI 2303876.pdf Description: ONSEMI - FDH44N50 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FDH44N50 FDH44N50
Produktcode: 63451
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fdh44n50-109645-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 120 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5335/90
JHGF: THT
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