Technische Details FDH45N50F-F133 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET FRFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDH45N50F-F133 nach Preis ab 4.22 EUR bis 11.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDH45N50F-F133 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 25609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 45A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
FDH45N50F-F133 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | onsemi |
MOSFETs 500V N Channel MOSFET FRFET |
auf Bestellung 1316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1863 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
FDH45N50F-F133 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET FRFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDH45N50F-F133 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 25609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 4.72 EUR |
| FDH45N50F-F133 |
|
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 45A; Idm: 180A; 625W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 7.61 EUR |
| 12+ | 6.23 EUR |
| 13+ | 5.51 EUR |
| 30+ | 5.36 EUR |
| FDH45N50F-F133 |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 8.85 EUR |
| 27+ | 5.24 EUR |
| 120+ | 4.22 EUR |
| FDH45N50F-F133 |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs 500V N Channel MOSFET FRFET
MOSFETs 500V N Channel MOSFET FRFET
auf Bestellung 1316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.81 EUR |
| 10+ | 6.86 EUR |
| FDH45N50F-F133 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6630 pF @ 25 V
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 11.81 EUR |
| 30+ | 6.85 EUR |
| 120+ | 5.75 EUR |
| 510+ | 5.02 EUR |
| FDH45N50F-F133 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDH45N50F-F133 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 45 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)