Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDI038AN06A0
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0 ON Semiconductor


fdp038an06a0-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
113+4.93 EUR
500+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 113
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDI038AN06A0 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FDI038AN06A0 nach Preis ab 4.94 EUR bis 4.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS45677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
102+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 102
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0 Hersteller : ON Semiconductor FAIRS45677-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdp038an06a0-d.pdf
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Hersteller : ON Semiconductor fdp038an06a0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Hersteller : onsemi fdp038an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDI038AN06A0 FDI038AN06A0 Hersteller : onsemi / Fairchild FDP038AN06A0_D-2312691.pdf MOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH