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FDMA008P20LZ

FDMA008P20LZ ONSEMI

2907372.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 97904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 870 Stücke
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Technische Details FDMA008P20LZ ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: MicroFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMA008P20LZ FDMA008P20LZ ONSEMI 2907372.pdf Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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FDMA008P20LZ FDMA008P20LZ onsemi fdma008p20lz-d.pdf Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 97900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 1056 Stücke
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FDMA008P20LZ FDMA008P20LZ ON Semiconductor / Fairchild FDMA008P20LZ-1305649.pdf MOSFET CSP
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Hersteller: onsemi
Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET CSP
auf Bestellung 4347 Stücke:
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