FDMA1028NZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.58 EUR |
| 6000+ | 0.56 EUR |
| 9000+ | 0.53 EUR |
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Technische Details FDMA1028NZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: FET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDMA1028NZ nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDMA1028NZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 23983 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
auf Bestellung 10512 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: FET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA1028NZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMA1028NZ | Hersteller : ONSEMI |
FDMA1028NZ Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |