FDMA1032CZ onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
| 9000+ | 0.3 EUR |
| 21000+ | 0.29 EUR |
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Technische Details FDMA1032CZ onsemi
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMA1032CZ nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1032CZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
auf Bestellung 23499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA1032CZ | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 6856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA1032CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1032CZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: µFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMA1032CZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: WDFN6 Polarisation: unipolar Gate charge: 4/7nC On-state resistance: 68/95mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.7/-3.1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FDMA1032CZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: WDFN6 Polarisation: unipolar Gate charge: 4/7nC On-state resistance: 68/95mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 3.7/-3.1A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMA1032CZ |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FDMA1032CZ | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |