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FDMA2002NZ

FDMA2002NZ onsemi

fdma2002nz-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
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Technische Details FDMA2002NZ onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FDMA2002NZ FDMA2002NZ Hersteller : ON Semiconductor 3677827918705162fdma2002nz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA2002NZ FDMA2002NZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDMA2002NZ_D-1807640.pdf MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMA2002NZ FDMA2002NZ Hersteller : ON Semiconductor 3677827918705162fdma2002nz.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA2002NZ FDMA2002NZ Hersteller : onsemi fdma2002nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
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