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FDMA530PZ

FDMA530PZ ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details FDMA530PZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: µFET, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 25V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMA530PZ FDMA530PZ ON Semiconductor fdma530pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA530PZ FDMA530PZ ON Semiconductor fdma530pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA530PZ FDMA530PZ ON Semiconductor fdma530pz-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA530PZ FDMA530PZ onsemi fdma530pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.56 EUR
14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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FDMA530PZ FDMA530PZ onsemi / Fairchild FDMA530PZ_D-1807568.pdf MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 14213 Stücke:
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2+2.59 EUR
10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMA530PZ FDMA530PZ ONSEMI ONSM-S-A0017900480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5232 Stücke:
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86+2.93 EUR
129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
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FDMA530PZ FDMA530PZ ONSEMI ONSM-S-A0017900480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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100+2.93 EUR
129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
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FDMA530PZ FDMA530PZ onsemi fdma530pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 1238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1238 Stücke
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FDMA530PZ
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Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMA530PZ
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Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
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929+0.71 EUR
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FDMA530PZ
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Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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FDMA530PZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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14+1.61 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET
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10+1.73 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.69 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMA530PZ ONSM-S-A0017900480-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMA530PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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FDMA530PZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
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Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 1238 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1238 Stücke
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