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FDMA6023PZT
FDMA6023PZT
FDMA6023PZTFDMA6023PZT

FDMA6023PZT ONSEMI

FDMA6023PZT.pdf
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 17nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.17Ω
Case: MicroFET
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
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Technische Details FDMA6023PZT ONSEMI

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: µFET, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.4W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMA6023PZT FDMA6023PZT ON Semiconductor fdma6023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
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FDMA6023PZT FDMA6023PZT Fairchild Semiconductor FAIRS29209-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 12063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
565+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
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FDMA6023PZT FDMA6023PZT ON Semiconductor fdma6023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.37 EUR
132+1.32 EUR
169+1 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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FDMA6023PZT FDMA6023PZT ON Semiconductor fdma6023pzt-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R
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129+1.32 EUR
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FDMA6023PZT FDMA6023PZT onsemi / Fairchild FDMA6023PZT_D-1807128.pdf MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench
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10+1.64 EUR
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FDMA6023PZT FDMA6023PZT ONSEMI ONSM-S-A0013184533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 375297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+2.2 EUR
132+1.76 EUR
185+1.15 EUR
500+0.76 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDMA6023PZT FDMA6023PZT ONSEMI ONSM-S-A0013184533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
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auf Bestellung 232 Stücke:
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench
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100+1.26 EUR
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FDMA6023PZT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 375297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+2.2 EUR
132+1.76 EUR
185+1.15 EUR
500+0.76 EUR
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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FDMA6023PZT
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 375297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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114+2.2 EUR
132+1.76 EUR
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