FDMA6023PZT onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.56 EUR |
| 6000+ | 0.53 EUR |
| 9000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details FDMA6023PZT onsemi
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: µFET, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.4W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote FDMA6023PZT nach Preis ab 0.52 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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FDMA6023PZT | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
auf Bestellung 88530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA6023PZT | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
auf Bestellung 9995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA6023PZT | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench |
auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMA6023PZT | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Anzahl der Pins: 6Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: µFET Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds: 20V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id: 3.6A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.4W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 375297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMA6023PZT | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 375297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMA6023PZT | Hersteller : ONSEMI |
FDMA6023PZT Multi channel transistors |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDMA6023PZT | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R |
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