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FDMB2307NZ

FDMB2307NZ onsemi

FAIR-S-A0000087996-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details FDMB2307NZ onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 800mW, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 6-MLP (2x3).

Weitere Produktangebote FDMB2307NZ nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FDMB2307NZ FDMB2307NZ onsemi / Fairchild FDMB2307NZ_D-2312736.pdf MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
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FDMB2307NZ FDMB2307NZ onsemi FAIR-S-A0000087996-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
auf Bestellung 8875 Stücke:
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8+2.43 EUR
12+1.53 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
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FDMB2307NZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET
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FDMB2307NZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
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