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FDMC510P

FDMC510P ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
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Technische Details FDMC510P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC510P FDMC510P ON Semiconductor fdmc510p-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC510P FDMC510P ONSEMI fdmc510p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FDMC510P FDMC510P ONSEMI ONSM-S-A0013184743-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: MLP
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC510P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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