Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FDMC6679AZ
FDMC6679AZ

FDMC6679AZ ON Semiconductor

fdmc6679az-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FDMC6679AZ ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDMC6679AZ nach Preis ab 0.96 EUR bis 3.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ onsemi fdmc6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ON Semiconductor fdmc6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ onsemi / Fairchild FDMC6679AZ-D.PDF MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
auf Bestellung 17969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.15 EUR
100+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.98 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ onsemi fdmc6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.23 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ onsemi fdmc6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
auf Bestellung 15015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.23 EUR
100+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ONSEMI 2304773.pdf Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ ONSEMI 2304773.pdf Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ ONN fdmc6679az-d.pdf
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
432+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
432+1.54 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.23 EUR
10000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ FDMC6679AZ-D.PDF
FDMC6679AZ
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
auf Bestellung 17969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.14 EUR
10+2.15 EUR
100+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
3000+0.98 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
auf Bestellung 3024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.23 EUR
100+1.61 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel Power Trench
auf Bestellung 15015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.75 EUR
10+2.23 EUR
100+1.55 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ 2304773.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ 2304773.pdf
FDMC6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC6679AZ fdmc6679az-d.pdf
Hersteller: ONN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH