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FDMC7672

FDMC7672 onsemi

fdmc7672-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V
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Technische Details FDMC7672 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V.

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Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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