FDMC8010 ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 221+ | 0.66 EUR |
| 227+ | 0.63 EUR |
| 230+ | 0.61 EUR |
| 235+ | 0.58 EUR |
| 252+ | 0.53 EUR |
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Technische Details FDMC8010 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMC8010 nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDMC8010 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC8010 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 18808 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8010 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8010 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 9885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8010 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC8010 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 6066 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC8010 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8997 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC8010 | onsemi |
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 1386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC8010 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDMC8010 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC8010 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.08 EUR |
| 6000+ | 1.07 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 314+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 10000+ | 1.21 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 314+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| 10000+ | 1.21 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 314+ | 1.73 EUR |
| 500+ | 1.53 EUR |
| 1000+ | 1.38 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 52+ | 2.83 EUR |
| 70+ | 2.02 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.85 EUR |
| 500+ | 1.6 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 3000+ | 1.3 EUR |
| 6000+ | 1.26 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 8997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.75 EUR |
| 10+ | 2.41 EUR |
| 100+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.01 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
| 3000+ | 1.22 EUR |
| FDMC8010 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDMC8010 |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH



