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FDMC8010

FDMC8010 ON Semiconductor

fdmc8010-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+0.8 EUR
227+0.76 EUR
230+0.74 EUR
235+0.7 EUR
252+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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Technische Details FDMC8010 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote FDMC8010 nach Preis ab 1.27 EUR bis 4.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.29 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMC8010 FDMC8010 ON Semiconductor fdmc8010-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.44 EUR
70+2.45 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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FDMC8010 FDMC8010 onsemi / Fairchild fdmc8010-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.67 EUR
100+2.2 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.55 EUR
6000+1.5 EUR
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FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 8997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDMC8010 FDMC8010 onsemi fdmc8010-d.pdf MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.45 EUR
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FDMC8010 FDMC8010 ONSEMI 2572517.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC8010 FDMC8010 ONSEMI 2572517.pdf Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.29 EUR
6000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
314+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
314+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMC8010 fdmc8010-d.pdf
FDMC8010
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
314+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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FDMC8010
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.44 EUR
70+2.45 EUR
100+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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FDMC8010
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6066 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.5 EUR
10+2.67 EUR
100+2.2 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.55 EUR
6000+1.5 EUR
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FDMC8010
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
auf Bestellung 8997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.96 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FDMC8010
Hersteller: onsemi
MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.77 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
3000+1.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8010 2572517.pdf
FDMC8010
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC8010 2572517.pdf
FDMC8010
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH