Produkte > FDM > FDMC86139P

FDMC86139P

fdmc86139p-d.pdf
Produktcode: 183309
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:


Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDMC86139P nach Preis ab 1.27 EUR bis 5.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.87 EUR
250+1.69 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.54 EUR
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P onsemi / Fairchild FDMC86139P-D.pdf MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 42851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.53 EUR
10+1.96 EUR
100+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.89 EUR
46+1.87 EUR
52+1.67 EUR
56+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P onsemi fdmc86139p-d.pdf MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 17007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+2.76 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.27 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 4239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ON Semiconductor fdmc86139pd.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P ONSEMI fdmc86139p-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 4659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P onsemi fdmc86139p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.87 EUR
250+1.69 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.54 EUR
3000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
71+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P FDMC86139P-D.pdf
FDMC86139P
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 42851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.53 EUR
10+1.96 EUR
100+1.67 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 40W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+2.89 EUR
46+1.87 EUR
52+1.67 EUR
56+1.54 EUR
100+1.39 EUR
250+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
FDMC86139P
Hersteller: onsemi
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet
auf Bestellung 17007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.88 EUR
10+2.76 EUR
100+2.23 EUR
500+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
FDMC86139P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.09 EUR
10+3.27 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 4239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139pd.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
FDMC86139P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 4659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMC86139P fdmc86139p-d.pdf
FDMC86139P
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 1700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH