FDMC86139P
Produktcode: 183309
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Weitere Produktangebote FDMC86139P nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 174000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet |
auf Bestellung 42851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 40W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 40W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet |
auf Bestellung 17007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86139P | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMC86139P | Hersteller : On Semiconductor |
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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