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Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

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FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

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FDM15-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

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FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

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FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

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FDM2452NZ

05+

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM2502

FAIRCHIL

09+

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP

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FDM2509NZ

QFN 0642+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM3300NZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

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FDM3622

Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.11 EUR
15+	3.69 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.37 EUR
1000+	1.94 EUR
3000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

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FDM3622

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

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FDM3622

FDM3622 SMD N channel transistors

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FDM44528S9J

N/A

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM47-06KC5

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 32A
Mounting: THT
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 150nC
Technology: HiPerDynFRED
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Topology: buck chopper
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	30.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

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FDM47-06KC5

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	30.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

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FDM47-06KC5

MOSFET CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDM606P

VSSOP-8 0440+

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM606P

0440+ VSSOP-8

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

auf Bestellung 9587 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

468+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 468

FDM6269

FAI

08+PB

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM6296

FAI

09+

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM6296

05+ QFN

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM7W2SPM-K1468

FCT Group

FCT D-Sub, 7W2 Receptacle/7W2 Plug

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FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

auf Bestellung 97900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1056+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 1056

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

auf Bestellung 4347 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA0104

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 11154 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

888+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 888

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 11154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

auf Bestellung 14688 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.61 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.38 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMA037N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.62 EUR
6000+	1.56 EUR
9000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 120901 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA037N08LC

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA037N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA037N08LC

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA037N08LC

MOSFET FET 80V 3.7 MOHM MLP33

auf Bestellung 2346 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.2 EUR
20+	2.7 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.99 EUR
1000+	1.71 EUR
3000+	1.65 EUR
6000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 32305 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
14+	1.88 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1023PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1023PZ

MOSFET -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4920 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
29+	1.8 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
3000+	0.81 EUR
6000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.83 EUR
6000+	0.78 EUR
9000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1023PZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1023PZ-F106

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1024NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 6A; 1.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 10003 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
11+	2.56 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMA1024NZ

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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FDMA1024NZ

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1024NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 6562 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.15 EUR
21+	2.59 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.39 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.3 EUR
6000+	1.23 EUR
9000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5488 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1128+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 1128

FDMA1027P

FAI

07+

auf Bestellung 112300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1027P

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -6A; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -6A
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1027P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA1027P

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027P

MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

auf Bestellung 2011 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.96 EUR
31+	1.69 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.83 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1027PT

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 13223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.91 EUR
6000+	0.87 EUR
9000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; 1.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1028NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 23983 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.2 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.92 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

118+	1.33 EUR
120+	1.26 EUR
151+	0.96 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 118

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 13223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 19462 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.48 EUR
118+	1.28 EUR
120+	1.21 EUR
151+	0.93 EUR
250+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 106

FDMA1028NZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ-F021

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; Idm: 6A; 1.4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: MicroFET
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ-F021

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.73 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1029PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -6A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 1.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 141mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1029PZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA1029PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11785 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
30+	1.77 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.77 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 915 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 14373 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
15+	1.76 EUR
100+	1.22 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA1032CZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 19185 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.39 EUR
14+	1.96 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 66000 Stücke:

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FDMA1032CZ

MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 17918 Stücke:

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22+	2.42 EUR
27+	1.97 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.06 EUR
3000+	0.99 EUR
6000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1975 Stücke:

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FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.99 EUR
6000+	0.94 EUR
9000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

126+	1.24 EUR
127+	1.19 EUR
164+	0.89 EUR
250+	0.84 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 126

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2999 Stücke:

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102+	1.53 EUR
126+	1.2 EUR
127+	1.14 EUR
164+	0.85 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 102

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

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FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

auf Bestellung 2983 Stücke:

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FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 58151 Stücke:

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25+	2.08 EUR
31+	1.71 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 25

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

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133+	1.18 EUR
134+	1.12 EUR
172+	0.85 EUR
250+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 133

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.84 EUR
9000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

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117+	1.34 EUR
133+	1.14 EUR
134+	1.08 EUR
172+	0.81 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 117

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 28238 Stücke:

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FDMA2002NZ

FDMA2002NZ Multi channel transistors

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 31971 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.13 EUR
15+	1.75 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

16+	1.69 EUR
18+	1.5 EUR
100+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FDMA291P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.6A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 14nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -6.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 98mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 11 Stücke:

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FDMA291P

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA291P

MOSFET -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1852 Stücke:

Lieferzeit 594-608 Tag (e)

32+	1.67 EUR
36+	1.48 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.65 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 32

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 12410 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
15+	1.78 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA3023PZ

MOSFET 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

auf Bestellung 6391 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.06 EUR
29+	1.81 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.88 EUR
3000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.78 EUR
6000+	0.74 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: WDFN6

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA3023PZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3254 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4317 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1322315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

auf Bestellung 11953 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

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FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 5984 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA410NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.5A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 32mΩ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA410NZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 290950 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
28+	1.91 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.92 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

auf Bestellung 2051 Stücke:

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FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm

auf Bestellung 70 Stücke:

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FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 1294 Stücke:

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FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.75 EUR
9000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 23378 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.08 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.75 EUR
9000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

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FDMA420NZ

auf Bestellung 2080 Stücke:

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FDMA420NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 10785 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.85 EUR
17+	1.61 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDMA420NZ

MOSFET 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

auf Bestellung 3754 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.86 EUR
33+	1.62 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 28

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.67 EUR
9000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA420NZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

auf Bestellung 18773 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA430NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 61mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm

auf Bestellung 25770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA430NZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

auf Bestellung 11980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.47 EUR
12+	2.19 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMA430NZ

MOSFET 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

auf Bestellung 101341 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
29+	1.85 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.77 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA430NZ

auf Bestellung 25770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.96 EUR
6000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 9506 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

auf Bestellung 1499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
13+	2.1 EUR
100+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMA507PZ

FDMA507PZ SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA507PZ

auf Bestellung 1499 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA510PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

auf Bestellung 26065 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.08 EUR
29+	1.84 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.81 EUR
6000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.95 EUR
16+	1.72 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA520PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA530PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.8A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 1133 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	1.36 EUR
95+	0.76 EUR
107+	0.67 EUR
117+	0.61 EUR
124+	0.58 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 53

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA530PZ

MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 20806 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

26+	2.03 EUR
33+	1.6 EUR
100+	1.12 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.9 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 26

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 25953 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.05 EUR
16+	1.69 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

128+	1.23 EUR
152+	0.99 EUR
155+	0.94 EUR
196+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 128

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.03 EUR
155+	0.98 EUR
196+	0.74 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 152

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.86 EUR
6000+	0.81 EUR
9000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA530PZ

auf Bestellung 1133 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

53+	1.36 EUR
95+	0.76 EUR
107+	0.67 EUR
117+	0.61 EUR
124+	0.58 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 53

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 88530 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

792+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 792

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.36 EUR
129+	1.17 EUR
132+	1.1 EUR
169+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 116

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.21 EUR
132+	1.15 EUR
169+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 129

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2 EUR
16+	1.64 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA6023PZT

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: MicroFET
Gate charge: 17nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 338 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.33 EUR
97+	0.74 EUR
107+	0.67 EUR
130+	0.55 EUR
138+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 54

FDMA6023PZT

auf Bestellung 338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.33 EUR
97+	0.74 EUR
107+	0.67 EUR
130+	0.55 EUR
138+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 54

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.29 EUR
26+	2.04 EUR
100+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 23

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.83 EUR
6000+	0.79 EUR
9000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA6676PZ

Sensor Cables / Actuator Cables SACC-DSI-M12FS- 4P-M16/0,5-0,25

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA6676PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA7628

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 89038 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

962+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 962

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 33686 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

auf Bestellung 4864 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA7630

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7630

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7630

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 29612 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.51 EUR
19+	2.89 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.54 EUR
3000+	1.43 EUR
6000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 8124 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.48 EUR
10+	2.85 EUR
100+	2.22 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.53 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMA7630

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 10311 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7632

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA7670

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 208870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.7 EUR
11+	2.42 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 738-752 Tag (e)

20+	2.65 EUR
22+	2.38 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.21 EUR
3000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 32mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA7672

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8051L

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8051L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 80A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Mounting: SMD
Drain current: 10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 22289 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
13+	2.1 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMA8051L

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FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 8484 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 14806 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.59 EUR
25+	2.15 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.16 EUR
3000+	1.05 EUR
6000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR
9000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm

auf Bestellung 8484 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 4056 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA86108LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.2A; Idm: 6A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.4W
On-state resistance: 446mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.2A
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

auf Bestellung 4247 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

auf Bestellung 11455 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMA86108LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86108LZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.33 EUR
6000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm

auf Bestellung 1169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86151L

MOSFET 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
23+	2.32 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.26 EUR
3000+	1.16 EUR
6000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 19

FDMA86151L

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86151L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 20A; 2.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 7.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: 20A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86151L

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86151L

auf Bestellung 1169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 12428 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.17 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 16995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.92 EUR
6000+	0.87 EUR
9000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86251

MOSFET FET 150V 175.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 62927 Stücke:

Lieferzeit 563-577 Tag (e)

24+	2.25 EUR
29+	1.85 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	0.99 EUR
3000+	0.93 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 16995 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 22750 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.57 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm

auf Bestellung 1665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86265P

MOSFET FET -150V 1.2 MOHM MLP

auf Bestellung 8237 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.6 EUR
25+	2.13 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.14 EUR
3000+	1.08 EUR
6000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.06 EUR
6000+	1.01 EUR
9000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA86265P

auf Bestellung 1665 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 63647 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.07 EUR
19+	2.76 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.41 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDMA86551L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.5A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 33mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMA86551L

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FDMA86551L

Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 41265 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.76 EUR
12+	2.26 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMA86551L

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.14 EUR
6000+	1.09 EUR
9000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 6506 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.61 EUR
18+	2.99 EUR
100+	2.35 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.67 EUR
3000+	1.63 EUR
6000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 1633 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.82 EUR
10+	3.13 EUR
100+	2.44 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 11447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 4358 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA8878

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 40A; 2.4W; WDFN6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8878

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 1337705 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

926+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 926

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 289315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

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FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA8884

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 932 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 527023 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.33 EUR
6000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA905P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -10A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Drain current: -10A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN6
On-state resistance: 21mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA905P

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA905P

Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA905P

MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	3.02 EUR
20+	2.73 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 15318 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.15 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.19 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

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FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

auf Bestellung 86094 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.97 EUR
32+	1.66 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.7 EUR
6000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDMA908PZ

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin Micro FET EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 22107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 30083 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
15+	1.76 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm

auf Bestellung 22107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.73 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMA908PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -12A; Idm: -40A; 2.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 16mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA908PZ

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FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA910PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA910PZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA910PZ

MOSFET P-CHAN -20V -9.4A

auf Bestellung 3931 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.27 EUR
28+	1.86 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR
3000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 23

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.24 EUR
15+	1.83 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMB2307NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 40A; 2.2W; WDFN8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMB2307NZ

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FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

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24+	2.18 EUR
30+	1.78 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

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107+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 107

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 107

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 8975 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
14+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 17977 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.99 EUR
10+	4.47 EUR
100+	3.59 EUR
500+	2.95 EUR
1000+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.28 EUR
6000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMB2308PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -7A; Idm: -30A; 2.2W; WDFN6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMB2308PZ

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FDMB2308PZ

auf Bestellung 2800 Stücke:

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FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMB2308PZ

MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 5426 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	4.89 EUR
13+	4.11 EUR
100+	3.25 EUR
250+	2.99 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.32 EUR
3000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 5348 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	3.07 EUR
11+	2.51 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMB3800N

auf Bestellung 129 Stücke:

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FDMB3800N

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.8A; Idm: 9A; 1.6W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 5.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: MicroFET
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD

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FDMB3800N

MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

auf Bestellung 16494 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

18+	2.99 EUR
20+	2.6 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.29 EUR
6000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 18

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMB3800N

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FDMB3800N

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

auf Bestellung 4929 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.31 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDMB3900AN

FDMB3900AN Multi channel transistors

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FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.54 EUR
116+	1.31 EUR
151+	0.97 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 102

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3427 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMB3900AN

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

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FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

auf Bestellung 5246 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

452+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 452

FDMB668P

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

auf Bestellung 11730 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8448 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.2 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.44 EUR
500+	2.91 EUR
1000+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC007N08LC

MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 15492 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.3 EUR
12+	4.39 EUR
100+	3.51 EUR
250+	3.43 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.51 EUR
3000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC007N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.34 EUR
6000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC007N08LC

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N08LCDC

MOSFET FET 80V 64A 6.8 mOhm

auf Bestellung 8726 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.93 EUR
10+	5.2 EUR
25+	5.1 EUR
100+	4.45 EUR
250+	4.32 EUR
500+	4.06 EUR
1000+	3.72 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3077 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 9489 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.49 EUR
10+	6.73 EUR
100+	5.51 EUR
500+	4.69 EUR
1000+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDMC007N08LCDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 339A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N08LCDC

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N08LCDC

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 3077 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC007N30D

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/29A; 1.9/2.5W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/29A
Power dissipation: 1.9/2.5W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12/±12V
On-state resistance: 16.3/9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17/34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC007N30D

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FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 5796 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
15+	1.81 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMC007N30D

MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1753 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.25 EUR
29+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.93 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMC008N08C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 38A; Idm: 273A; 57W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 273A
Power dissipation: 57W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC008N08C

MOSFET 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 3813 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.55 EUR
14+	3.8 EUR
100+	3.02 EUR
250+	2.78 EUR
500+	2.54 EUR
1000+	2.16 EUR
3000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMC008N08C

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FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 22427 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.81 EUR
10+	4.32 EUR
100+	3.47 EUR
500+	2.85 EUR
1000+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 29400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.44 EUR
6000+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC010N08C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 206A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC010N08C

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FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 29400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.07 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.27 EUR
1000+	3.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDMC010N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC010N08C

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC010N08C

MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

auf Bestellung 5974 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	7.15 EUR
10+	6.03 EUR
25+	5.54 EUR
100+	4.86 EUR
250+	4.6 EUR
500+	4.32 EUR
1000+	3.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC010N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

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FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

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FDMC010N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 32A; Idm: 200A; 52W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 52W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC010N08LC

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FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC012N03

MOSFET PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 3070 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

8+	6.55 EUR
10+	5.72 EUR
25+	5.69 EUR
100+	4.65 EUR
500+	4.13 EUR
1000+	3.54 EUR
3000+	3.51 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

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FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC012N03

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FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC012N03

auf Bestellung 2304 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

auf Bestellung 1834 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	6.76 EUR
10+	5.69 EUR
100+	4.6 EUR
500+	4.09 EUR
1000+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDMC013P030Z

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

194+	4.03 EUR

Mindestbestellmenge: 194

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

auf Bestellung 2037 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 16805 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1312+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 1312

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15629 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1480+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2049+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6940 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1664+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 1664

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2049+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2049+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS-F127

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Mounting: SMD
Case: MLP8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
On-state resistance: 5.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 52nC
Technology: PowerTrench®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS-F127

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS-F127

MOSFET Computing MOSFET

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 504-518 Tag (e)

24+	2.2 EUR
29+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.91 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS-F127

Trans MOSFET N-CH 30V 19A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS-F127

MOSFET Computing MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

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FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.47 EUR
13+	2.01 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

12+	4.58 EUR
13+	4.13 EUR
25+	3.9 EUR
100+	3.33 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

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FDMC15N06

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 9A; Idm: 60A; 35W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 35W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC15N06

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FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

394+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 394

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1217 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP

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FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

auf Bestellung 1529 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

auf Bestellung 770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

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FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC2523P

Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP

auf Bestellung 13427 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	1.34 EUR
10+	1.14 EUR
100+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC2523P

MOSFET -150V P-Channel QFET

auf Bestellung 20309 Stücke:

Lieferzeit 161-175 Tag (e)

14+	3.72 EUR
17+	3.09 EUR
100+	2.47 EUR
250+	2.39 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.77 EUR
3000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FDMC2610

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2610

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FDMC2610

MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1847 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.72 EUR
11+	4.76 EUR
100+	4.16 EUR
250+	3.98 EUR
500+	3.48 EUR
1000+	2.89 EUR
3000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 560 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.69 EUR
10+	4.72 EUR
100+	3.76 EUR
500+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.11 EUR
15+	3.64 EUR
100+	3.15 EUR
250+	2.91 EUR
500+	2.63 EUR
1000+	2.32 EUR
3000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 25839 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.89 EUR
10+	4.39 EUR
100+	3.53 EUR
500+	2.9 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMC2674

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 220V; 7A; Idm: 13.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 220V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 13.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 814mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.24 EUR
6000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC2674

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC2674

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FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.59 EUR
10+	2.93 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

auf Bestellung 2267 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.01 EUR
10+	5.41 EUR
25+	5.12 EUR
100+	4.34 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMC3020DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 100A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3020DC

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3020DC

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

513+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 513

FDMC3612

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.3 EUR
131+	1.11 EUR
149+	0.94 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 121

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 233 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC3612

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FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.15 EUR
149+	0.98 EUR
250+	0.94 EUR
500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 131

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 1930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.41 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC3612

MOSFET 100V PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 18021 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.09 EUR
20+	2.63 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.45 EUR
3000+	1.39 EUR
6000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDMC3612-L701

N-Channel Power Trench MOSFET

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FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 2845 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
12+	2.28 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

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FDMC3612-L701

MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 12A, 110mohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 224-238 Tag (e)

23+	2.29 EUR
26+	2.05 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.97 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 23

FDMC3612-L701

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDMC3612-L701

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FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC4435BZ

MOSFET -30V P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 67028 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.54 EUR
25+	2.08 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.37 EUR
1000+	1.12 EUR
3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.07 EUR
6000+	0.94 EUR
12000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 31074 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
13+	2.07 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC4435BZ
Produktcode: 52237

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Case: MLP8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD

auf Bestellung 2978 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	1.54 EUR
78+	0.92 EUR
101+	0.71 EUR
107+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 47

FDMC4435BZ

auf Bestellung 72225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC4435BZ

auf Bestellung 2978 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

47+	1.54 EUR
78+	0.92 EUR
101+	0.71 EUR
107+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 47

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR
9000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC4435BZ

auf Bestellung 72225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC4435BZ-F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

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FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

auf Bestellung 23810 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

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FDMC4435BZ-F127

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

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FDMC4435BZ-F127

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.83 EUR
12+	2.33 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

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FDMC4435BZ_F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

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FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC4D9P20X8

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -47A; Idm: -335A; 40W; PQFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -47A
Pulsed drain current: -335A
Power dissipation: 40W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

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FDMC4D9P20X8

P-Channel Power Trench® MOSFET

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FDMC4D9P20X8

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FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.96 EUR
10+	2.66 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 47893 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	5.02 EUR
10+	4.16 EUR
100+	3.31 EUR
500+	2.8 EUR
1000+	2.38 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC510P

MOSFET 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 25961 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.04 EUR
12+	4.45 EUR
100+	3.56 EUR
250+	3.48 EUR
500+	2.94 EUR
1000+	2.47 EUR
3000+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC510P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: MLP8

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FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.26 EUR
6000+	2.17 EUR
9000+	2.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC510P

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FDMC510P

auf Bestellung 2164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC510P-F106

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -50A
Case: MLP8

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FDMC510P-F106

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FDMC510P-F106

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC5614P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

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FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC5614P

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FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 5490 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.37 EUR
13+	2.11 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

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FDMC5614P-L701

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FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC610P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -80A; Idm: -200A; 48W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -80A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 48W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.12 EUR
81+	1.86 EUR
82+	1.78 EUR
100+	1.57 EUR
250+	1.47 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 74

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 485 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.23 EUR
10+	4.35 EUR
100+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC610P

MOSFET P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6505 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

14+	3.98 EUR
16+	3.41 EUR
100+	3.15 EUR
250+	2.94 EUR
500+	2.65 EUR
1000+	2.3 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FDMC610P

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.12 EUR
81+	1.86 EUR
82+	1.78 EUR
100+	1.57 EUR
250+	1.47 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 74

FDMC610P

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FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC612PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

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FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

auf Bestellung 28445 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

460+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 460

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	1.27 EUR
139+	1.09 EUR
140+	1.04 EUR
164+	0.85 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 123

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.13 EUR
140+	1.08 EUR
164+	0.89 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 139

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.15 EUR
6000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC6675BZ

MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 8819 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

21+	2.54 EUR
25+	2.09 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.16 EUR
3000+	1.12 EUR
6000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 21

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6675BZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6675BZ
Produktcode: 130485

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 8850 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.78 EUR
12+	2.28 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 192350 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

2049+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

FDMC6679AZ

MOSFET -30V P-Channel Power Trench

auf Bestellung 52325 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.3 EUR
20+	2.7 EUR
100+	2.23 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.64 EUR
3000+	1.5 EUR
9000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 4919 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6679AZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Case: WDFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: -20A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6679AZ

auf Bestellung 8970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC6679AZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.73 EUR
92+	1.65 EUR
110+	1.32 EUR
250+	1.25 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.78 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 91

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1402+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 1402

FDMC6683

P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.3 m Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6683

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6683PZ

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

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FDMC6683_P

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6686P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Pulsed drain current: -377A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V POWER33

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC6686P

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

auf Bestellung 10729 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC6686P

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V POWER33

auf Bestellung 4135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC6686P

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC6688P

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

auf Bestellung 14994 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

auf Bestellung 14330 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

766+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 766

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2819 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.39 EUR
25+	2.14 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	1.01 EUR
9000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3830 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC7200

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 40A; 1.9/2.2W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.5/18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.82 EUR
17+	1.6 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200S

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 18/13A; Idm: 40÷27A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18/13A
Pulsed drain current: 40...27A
Power dissipation: 1.9/2.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/13.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200S

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2435 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.21 EUR
14+	1.92 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7200S

MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO

auf Bestellung 2852 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

24+	2.23 EUR
27+	1.93 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.85 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 24

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2685 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7208S

Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11120 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

13+	4.16 EUR
16+	3.38 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.54 EUR
500+	2.3 EUR
1000+	1.97 EUR
3000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMC7208S

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/26A; 1.9W; Power33
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power33
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/26A
On-state resistance: 12.4/7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.9W
Gate charge: 18/36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20/±12V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 2685 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	4.08 EUR
10+	3.39 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.28 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDMC7208S

auf Bestellung 2895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC7208S

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S

MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1428 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	6.06 EUR
10+	5.28 EUR
25+	5.2 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.32 EUR
500+	3.95 EUR
1000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMC7570S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; Idm: 120A; 59W; PQFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 4336 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

192+	4.08 EUR

Mindestbestellmenge: 192

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S
Produktcode: 167040

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.57 EUR
10+	6.81 EUR
100+	5.58 EUR
500+	4.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.33 EUR
69+	2.21 EUR
70+	2.09 EUR
100+	1.98 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.66 EUR
3000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 68

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.33 EUR
69+	2.21 EUR
70+	2.09 EUR
100+	1.98 EUR
250+	1.87 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.66 EUR
3000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 68

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 2608 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

265+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 265

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1674 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.87 EUR
10+	3.22 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 7

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3584 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2156 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

36+	2.02 EUR
46+	1.59 EUR
55+	1.32 EUR
58+	1.24 EUR
500+	1.2 EUR

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FDMC7660

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 185 Stücke:

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16+	3.28 EUR
100+	2.59 EUR
500+	2.18 EUR
1000+	1.85 EUR
3000+	1.76 EUR

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FDMC7660

auf Bestellung 3584 Stücke:

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FDMC7660

auf Bestellung 2156 Stücke:

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46+	1.59 EUR
55+	1.32 EUR
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FDMC7660DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 78W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Mounting: SMD
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

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10+	3.41 EUR
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500+	2.3 EUR
1000+	1.95 EUR

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FDMC7660DC

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FDMC7660DC

MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

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13+	4.19 EUR
16+	3.28 EUR
100+	2.78 EUR
250+	2.56 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.98 EUR
3000+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMC7660DC

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FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	1.85 EUR

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660S

MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

auf Bestellung 6358 Stücke:

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16+	3.41 EUR
19+	2.81 EUR
100+	2.17 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.49 EUR
3000+	1.36 EUR
6000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Case: Power33
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.1mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 66nC
Drain current: 40A
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 200A

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FDMC7660S

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FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

auf Bestellung 2950 Stücke:

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8+	3.38 EUR
10+	2.77 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9685 Stücke:

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FDMC7660S

auf Bestellung 1080 Stücke:

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FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

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FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

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FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

auf Bestellung 826 Stücke:

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FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 2804 Stücke:

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FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.03 EUR
6000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC7672

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 4976 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

28+	1.88 EUR
31+	1.69 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1.05 EUR
6000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 28

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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FDMC7672

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 11181 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.5 EUR
13+	2.04 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC7672S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.55 EUR
13+	2.09 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC7672S

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FDMC7672S

QFN

auf Bestellung 2044 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC7672S

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7672S

MOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 688 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.63 EUR
23+	2.32 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.2 EUR
3000+	1.12 EUR
6000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672S-F126

TRANS MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-PIN MLP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7678

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

auf Bestellung 2790 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.03 EUR
16+	1.66 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

1+	82.73 EUR
10+	71.66 EUR
25+	69.16 EUR
50+	66.66 EUR

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

auf Bestellung 11422 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

468+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 468

FDMC7680

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 31W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 31W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7680

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC7692
Produktcode: 116194

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8791 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC7692

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

13+	2.16 EUR
15+	1.78 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 13

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 7169 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

27+	1.93 EUR
32+	1.68 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.97 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 27

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.91 EUR
175+	0.86 EUR
205+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.49 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 173

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 2993 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	1.31 EUR
78+	0.92 EUR
100+	0.72 EUR
107+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 55

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC7692

auf Bestellung 2993 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.31 EUR
78+	0.92 EUR
100+	0.72 EUR
107+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 55

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	1 EUR
173+	0.87 EUR
175+	0.83 EUR
205+	0.68 EUR
250+	0.65 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 157

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 76828 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

36+	1.47 EUR
42+	1.26 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.44 EUR
6000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 36

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 27W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 27W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692S

QFN

auf Bestellung 2766 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

14+	1.9 EUR
17+	1.62 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 14

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC7692S

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FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

auf Bestellung 4303 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

12+	2.31 EUR
14+	1.91 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 12

FDMC7696

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 25W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 25W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7696

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6117 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

22+	2.37 EUR
28+	1.9 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 22

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC7696

QFN

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7696

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7696

auf Bestellung 8117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 8488 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.33 EUR
10+	4.42 EUR
100+	3.52 EUR
500+	2.98 EUR
1000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1773 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

11+	5.02 EUR
12+	4.37 EUR
100+	3.56 EUR
250+	3.54 EUR
500+	2.99 EUR
1000+	2.54 EUR
3000+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.4 EUR
6000+	2.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.21 EUR
76+	1.99 EUR
78+	1.87 EUR
100+	1.62 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 71

FDMC8010

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	2.21 EUR
76+	1.99 EUR
78+	1.87 EUR
100+	1.62 EUR
250+	1.55 EUR
500+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 71

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

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249+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 249

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

auf Bestellung 10820 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

17+	3.09 EUR
21+	2.54 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.33 EUR
3000+	1.25 EUR
6000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.24 EUR
6000+	1.18 EUR
9000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC8010DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 788A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 11001 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

9+	2.99 EUR
11+	2.45 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMC8010DC

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FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 43049 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

249+	2.91 EUR

Mindestbestellmenge: 249

FDMC8010ET30

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 5227 Stücke:

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121+	1.3 EUR
123+	1.23 EUR
124+	1.17 EUR
126+	1.11 EUR
250+	1.05 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 121

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

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FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 43049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

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FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	1.04 EUR
153+	0.99 EUR
184+	0.79 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 151

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 6225 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.42 EUR
14+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4502 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

23+	2.35 EUR
27+	1.95 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1.02 EUR
6000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 23

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.18 EUR
151+	1 EUR
153+	0.95 EUR
184+	0.76 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 133

FDMC8015L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8015L

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8015L

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2130 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP

auf Bestellung 300021000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8030

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8030

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	1.72 EUR
106+	1.42 EUR
118+	1.24 EUR
250+	1.09 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 91

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 45718 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	2.1 EUR
91+	1.66 EUR
106+	1.37 EUR
118+	1.19 EUR
250+	1.05 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 75

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

8+	3.3 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 8

FDMC8030

auf Bestellung 45718 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8030

MOSFET FPS

auf Bestellung 42313 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

16+	3.3 EUR
20+	2.7 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.46 EUR
3000+	1.36 EUR
6000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 16

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.32 EUR
121+	1.25 EUR
156+	0.93 EUR
250+	0.89 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 119

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	1.59 EUR
119+	1.27 EUR
121+	1.2 EUR
156+	0.9 EUR
250+	0.85 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 99

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.04 EUR
6000+	0.99 EUR
9000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 606000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8032L

MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP

auf Bestellung 8998 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.14 EUR
6000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9070 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

11+	2.52 EUR
13+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 11

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 1888 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	11.15 EUR
10+	10.01 EUR
100+	8.2 EUR
500+	6.98 EUR
1000+	5.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDMC8097AC

MOSFET 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1560 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	10.09 EUR
10+	8.48 EUR
100+	6.84 EUR
500+	6.08 EUR
1000+	5.07 EUR
3000+	4.84 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMC8097AC

Trans MOSFET N/P-CH 150V 2.4A/0.9A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

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FDMC8097AC

FDMC8097AC Multi channel transistors

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FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 453 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.86 EUR
12+	2.33 EUR
100+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC8200

FDMC8200 Multi channel transistors

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FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.47 EUR
108+	1.41 EUR
134+	1.09 EUR
250+	1.04 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 107

FDMC8200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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FDMC8200

MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.86 EUR
21+	2.57 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.66 EUR
1000+	1.32 EUR
3000+	1.22 EUR
6000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 19

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.66 EUR
107+	1.42 EUR
108+	1.35 EUR
134+	1.05 EUR
250+	0.99 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.61 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 95

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	1.08 EUR
147+	1.03 EUR
168+	0.87 EUR
250+	0.83 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 146

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6616 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

20+	2.73 EUR
22+	2.43 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.36 EUR
3000+	1.23 EUR
6000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 20

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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FDMC8200S

FDMC8200S Multi channel transistors

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.16 EUR
146+	1.04 EUR
147+	0.99 EUR
168+	0.83 EUR
250+	0.8 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 135

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

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FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 102000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

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FDMC8296

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

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FDMC8296

QFN8

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 159000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 16647 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.85 EUR
10+	4.86 EUR
100+	3.87 EUR
500+	3.28 EUR
1000+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 26999 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

9+	5.95 EUR
11+	4.97 EUR
100+	3.95 EUR
250+	3.9 EUR
500+	3.33 EUR
1000+	2.83 EUR
3000+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 9

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8321L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: Power33
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.64 EUR
6000+	2.54 EUR
9000+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.24 EUR
42+	3.67 EUR
43+	3.44 EUR
100+	3.15 EUR
250+	2.72 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 37

FDMC8321L

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.24 EUR
42+	3.67 EUR
43+	3.44 EUR
100+	3.15 EUR
250+	2.72 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 37

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.33 EUR
74+	1.96 EUR
100+	1.68 EUR
250+	1.58 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 68

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 23561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.38 EUR
10+	4.47 EUR
100+	3.56 EUR
500+	3.01 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC8321LDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 56W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 320A
Mounting: SMD
Case: PQFN8

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FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.49 EUR
12+	4.58 EUR
100+	3.64 EUR
500+	3.07 EUR
1000+	2.6 EUR
3000+	2.47 EUR
6000+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R

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FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.33 EUR
74+	1.96 EUR
100+	1.68 EUR
250+	1.58 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 68

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.43 EUR
6000+	2.34 EUR
9000+	2.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

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FDMC8321LDC

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.49 EUR
107+	1.42 EUR
132+	1.1 EUR
250+	0.97 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 106

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0074 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 7586 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 12825 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

10+	2.76 EUR
12+	2.25 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8327L

FDMC8327L SMD N channel transistors

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1940 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	1.5 EUR
106+	1.43 EUR
107+	1.37 EUR
132+	1.06 EUR
250+	0.93 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 105

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.14 EUR
6000+	1.09 EUR
9000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8327L

auf Bestellung 7586 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 51913 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

19+	2.76 EUR
23+	2.27 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.28 EUR
3000+	1.09 EUR
6000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 19

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	3.22 EUR
6000+	3.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8360L

FDMC8360L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8360L

MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

auf Bestellung 12210 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.54 EUR
11+	4.76 EUR
100+	3.8 EUR
250+	3.3 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.36 EUR
3000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC8360L

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin Power QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 8889 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

4+	7.02 EUR
10+	6.32 EUR
100+	5.08 EUR
500+	4.17 EUR
1000+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 4

FDMC8360LET40

MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

15+	3.61 EUR
100+	2.94 EUR
250+	2.86 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.2 EUR
3000+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 15

FDMC8360LET40

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 26946 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.13 EUR
6000+	2.05 EUR
9000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8360LET40

FDMC8360LET40 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 26946 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

6+	4.73 EUR
10+	3.92 EUR
100+	3.12 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	2.51 EUR
6000+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8462

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 43nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

auf Bestellung 10461 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

5+	5.54 EUR
10+	4.62 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.11 EUR
1000+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8462

auf Bestellung 2999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8462

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 7338 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

10+	5.59 EUR
12+	4.65 EUR
100+	3.69 EUR
250+	3.56 EUR
500+	3.12 EUR
1000+	2.65 EUR
3000+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8462

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

7+	3.72 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.37 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 7

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2281 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8554

FDMC8554 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8554

FAIRCHID

auf Bestellung 6034 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4536 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

272+	0.58 EUR
280+	0.54 EUR
281+	0.52 EUR
296+	0.47 EUR
303+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 272

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

FDMC86012

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

FDMC86012

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4493 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)

6+	9.02 EUR
10+	7.62 EUR
100+	6.16 EUR
500+	5.49 EUR
1000+	4.68 EUR
3000+	4.39 EUR

Mindestbestellmenge: 6

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.87 EUR
44+	3.3 EUR
100+	2.86 EUR
250+	2.71 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.26 EUR
3000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 41

FDMC86012

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 230A
Mounting: SMD
Case: Power33

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

auf Bestellung 4791 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3+	9 EUR
10+	7.56 EUR
100+	6.12 EUR
500+	5.44 EUR
1000+	4.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3

FDMC86012

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.87 EUR
44+	3.3 EUR
100+	2.86 EUR
250+	2.71 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.26 EUR
3000+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 41

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

3000+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

FDMC86102

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 41W
On-state resistance: 41mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

FDMC86102