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Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

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FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

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FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

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FDM1501-M0DB101W1KC

Machined pin D-SUB 90°Angle Male 15Circuits (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

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FDM1501-M0DB103W1KC

D-Sub Connectors Through Hole D-Sub Number of Positions:15 PC Pin (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

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FDM1503-F0WS101W1K

Machined pin D-SUB 15Circuits, Female, Welding, 1u`` (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

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FDM1503-F0WS103W1K

Machined pin D-SUB Female 15Circuits (TXGA) Група товару: Розніми D-SUB, SCSI, Centronics Од. вим: шт

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FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

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FDM2452NZ

05+

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM2502

FAIRCHIL

09+

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

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FDM2509NZ

QFN 0642+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

auf Bestellung 4849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 807

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FDM3300NZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

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FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.08 EUR
6000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 30352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.54 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDM3622

auf Bestellung 698 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR
6000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDM44528S9J

N/A

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

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FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

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FDM47-06KC5

MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

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FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

auf Bestellung 9587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 468

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FDM606P

0440+ VSSOP-8

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM6269

FAI

08+PB

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM6296

FAI

09+

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

auf Bestellung 97900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1056+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1056

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FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

auf Bestellung 4347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 11154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

auf Bestellung 5587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.85 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

auf Bestellung 1286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.8 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 6031 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.34 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.195Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Case: MicroFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 716 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.15 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.47 EUR
6000+	0.44 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1023PZ-F106

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

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FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

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FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 11536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

auf Bestellung 771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 1944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
17+	1.09 EUR
100+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2845 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

204+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1128+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1128

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FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA1027P

FAI

07+

auf Bestellung 112300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

auf Bestellung 2069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.31 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1028NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 10592 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 3920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

auf Bestellung 8398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 86974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.44 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.31 EUR
15000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 2686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
20+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 250 Stücke:

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FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1032CZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDMA1032CZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair

auf Bestellung 2201 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	0.83 EUR
102+	0.7 EUR
115+	0.63 EUR
156+	0.46 EUR
177+	0.41 EUR
500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 87

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FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

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593+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 593

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FDMA1032CZ

MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6856 Stücke:

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2+	1.47 EUR
10+	0.92 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 1400 Stücke:

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FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

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FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

auf Bestellung 2983 Stücke:

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 28238 Stücke:

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FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 33356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
15+	1.18 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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FDMA2002NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2.9A; Idm: 10A; 1.5W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3nC
On-state resistance: 268mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

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133+	1.09 EUR
134+	1.04 EUR
172+	0.78 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 133

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

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117+	1.24 EUR
133+	1.05 EUR
134+	1 EUR
172+	0.75 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 117

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FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 499 Stücke:

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2+	1.78 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.51 EUR
3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

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FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 4027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.39 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDMA291P

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA291P

MOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.49 EUR
6000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

auf Bestellung 30368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 26430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.04 EUR
14+	1.28 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3254 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

auf Bestellung 11953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 5984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA410NZ

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.28 EUR
144+	0.97 EUR
146+	0.92 EUR
179+	0.72 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 113

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FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 290950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	1 EUR
146+	0.96 EUR
179+	0.75 EUR
250+	0.72 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 144

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FDMA410NZT

MOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 8463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.6 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 1294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 23378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Case: WDFN6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 5.7A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 24A

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

auf Bestellung 2596 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.21 EUR
10+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 6250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.21 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

auf Bestellung 2080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

auf Bestellung 4722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

819+	0.66 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 819

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.33 EUR
15000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 4522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.71 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 9506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 5479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.76 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

auf Bestellung 26065 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.41 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 3517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMA510PZ

auf Bestellung 2455 Stücke:

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FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

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FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 1238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA530PZ

auf Bestellung 5232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
14+	1.35 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

929+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 929

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FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.26 EUR
129+	1.08 EUR
132+	1.02 EUR
169+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 116

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FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.55 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.12 EUR
132+	1.06 EUR
169+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 129

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FDMA6023PZT

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.6A; 1.4W; MicroFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.6A
Gate charge: 17nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.17Ω
Case: MicroFET
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 12063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

565+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 565

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

MOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 89038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

962+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 962

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

auf Bestellung 4864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 22798 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.84 EUR
24000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 10130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
20+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 10311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 208870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 3739 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
19+	0.95 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA7672

auf Bestellung 2770 Stücke:

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FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

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FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4490 Stücke:

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2+	1.42 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.55 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR
3000+	0.32 EUR
9000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7777 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 4056 Stücke:

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FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 15666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7777 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 14806 Stücke:

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2+	1.75 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.75 EUR
9000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA86108LZ

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

auf Bestellung 4247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

auf Bestellung 53131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMA86108LZ

MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 17402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4460 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.73 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

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FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 12428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.24 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
10+	1.91 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 15788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.48 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.4A; Idm: 12A; 2.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 2.4A
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 0.175Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 12650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 1.2 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR
9000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.5 EUR
10+	1.57 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 41265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 63647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.74 EUR
9000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR
6000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 4358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 24064 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.52 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

MOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 5997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.53 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 11447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 1337705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

926+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 926

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878-F130

Rochester Electronics, LLC

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 527023 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 932 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 31443 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.57 EUR
18+	0.98 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.25 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

auf Bestellung 86094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 23804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0125 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 23650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR
9000+	0.48 EUR
15000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

MOSFETs P-CHAN -20V -9.4A

auf Bestellung 4349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 3291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.47 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 8875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 2944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.72 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMB2308PZ

MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 626 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.35 EUR
10+	2.82 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.46 EUR

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FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 10662 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDMB3800N

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMB3800N

Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 4508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMB3800N

MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

auf Bestellung 14012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET

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FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.43 EUR
116+	1.21 EUR
151+	0.89 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 102

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FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

auf Bestellung 4929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

auf Bestellung 5237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

452+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 452

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

auf Bestellung 10643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1110+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 6276 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.26 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 240

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

auf Bestellung 4791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.45 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2 EUR
500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6141 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.26 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 240

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1027 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.26 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 240

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 14293 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.26 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.74 EUR
10000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 240

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 42A; Idm: 330A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 42A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 265 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.46 EUR
35+	4.1 EUR
100+	2.78 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 41A; Idm: 339A; 57W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 41A
Power dissipation: 57W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 339A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

auf Bestellung 124 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.04 EUR
10+	4.59 EUR
100+	3.43 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.69 EUR
3000+	2.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 15582 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.25 EUR
10+	4.11 EUR
100+	2.9 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

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141+	1.03 EUR
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FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com

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FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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FDMC007N30D

MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

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FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

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8+	2.43 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

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FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 3549 Stücke:

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4+	4.4 EUR
10+	2.84 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR

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FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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281+	1.93 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.49 EUR

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FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

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10+	2.39 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.34 EUR

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FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	1.33 EUR

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FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1590 Stücke:

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281+	1.93 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.49 EUR

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FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 159 Stücke:

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1+	4.38 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.46 EUR
3000+	1.37 EUR

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FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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281+	1.93 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.49 EUR

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FDMC010N08C

auf Bestellung 2705 Stücke:

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FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP/ REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.67 EUR
10+	4.38 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMC010N08C

MOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

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FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

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FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

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FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

auf Bestellung 892 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.35 EUR
10+	4.17 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 4205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

428+	1.27 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 428

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FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 5593 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.94 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.51 EUR
3000+	0.97 EUR
6000+	0.89 EUR

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FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 688A

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FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 8738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

428+	1.27 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 428

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 8738 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1602 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

428+	1.27 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 428

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

428+	1.27 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.98 EUR
10000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 428

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 0.00123 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 723 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

428+	1.27 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 428

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

194+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 194

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

auf Bestellung 2037 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC013P030Z

FDMC013P030Z ON Semiconductor Transistors MOSFETs P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 14629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1211

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15629 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

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FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1665+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1665

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FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

auf Bestellung 2163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 32742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 100A; 36W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 36W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A
Technology: PowerTrench®

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

auf Bestellung 2162 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.38 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 2575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
14+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.1 EUR
10+	2.8 EUR
25+	2.64 EUR
100+	2.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 554 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	1.67 EUR
500+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 325

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1217 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

auf Bestellung 1529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

P-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 3 А, Ptot, Вт = 42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25, Qg, нКл = 9 @ 10 В, Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerVDFN-8 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

verfügbar 5 Stücke:

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1.8A; 42W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 42W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: QFET®

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	2 EUR
48+	1.5 EUR
53+	1.37 EUR
63+	1.14 EUR
100+	1.06 EUR
250+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

MOSFETs -150V P-Channel QFET

auf Bestellung 13921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.18 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

ON-Semiconductor

P-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 20

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 3127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.47 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1804 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

MOSFETs -150V P-Channel QFET

auf Bestellung 7104 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.43 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.62 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Група товару: Транзистори Од. вим: шт

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	11.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.33 EUR
10+	3.45 EUR
100+	2.39 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.85 EUR
3000+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC2610

MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.76 EUR
3000+	1.56 EUR

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FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 42540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
10+	3 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC2610

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 42W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 42W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 397mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 25839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.31 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC2674

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	2.46 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.97 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.57 EUR
3000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.51 EUR
6000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

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FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

auf Bestellung 2267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

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FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

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FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.07 EUR
10+	3.66 EUR
25+	3.47 EUR
100+	2.94 EUR

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FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

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FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

349+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 349

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FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC3612

MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 13499 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.25 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 11336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

891+	0.61 EUR
1000+	0.54 EUR
10000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 891

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FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 15393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

891+	0.61 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 891

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

ONS/FAI

MOSFET N-CH 100V 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

130+	1.12 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 130

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.41 EUR
15000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 8657 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

891+	0.61 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 891

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

668+	0.81 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 668

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FDMC3612-L701

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 15A; 35W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 212mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 49022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

668+	0.81 EUR
1000+	0.72 EUR
10000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 668

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 15722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

668+	0.81 EUR
1000+	0.72 EUR
10000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 668

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

MOSFETs FET 100V 110.0 MOHM MLP33

auf Bestellung 607 Stücke:

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FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

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FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

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10+	1.68 EUR
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500+	0.88 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.71 EUR

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FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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622+	0.87 EUR
1000+	0.78 EUR
10000+	0.67 EUR

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.63 EUR
6000+	0.56 EUR

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.63 EUR
6000+	0.56 EUR

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FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 63859 Stücke:

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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622+	0.87 EUR
1000+	0.78 EUR

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FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

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44+	1.64 EUR
52+	1.39 EUR
59+	1.22 EUR
85+	0.85 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 321 Stücke:

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7+	2.6 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.1 EUR

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FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 45000 Stücke:

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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80+	1.83 EUR
110+	1.27 EUR
154+	0.87 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR

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FDMC4435BZ
Produktcode: 52237

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FDMC4435BZ-F126

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 1133

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FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

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FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

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499+	1.09 EUR
554+	0.94 EUR
1000+	0.84 EUR
10000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 499

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

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FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

auf Bestellung 791049 Stücke:

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499+	1.09 EUR
554+	0.94 EUR
1000+	0.84 EUR
10000+	0.72 EUR
100000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 499

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FDMC4435BZ-F127

Description: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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7+	2.64 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 5731 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

498+	1.09 EUR
553+	0.95 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 498

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ_F106

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

841+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 841

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 10211 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.72 EUR
10+	3.05 EUR
100+	2.1 EUR
500+	1.7 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.7 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.71 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
Power dissipation: 41W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

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FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 8000 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 267 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	2.85 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.85 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

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FDMC510P

ONS/FAI

MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

auf Bestellung 14 Stücke:

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FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 5 Stücke:

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FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 5490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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FDMC5614P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13.5A; 42W; WDFN8
Power dissipation: 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13.5A
On-state resistance: 168mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC5614P-B8

MOSFET Transistor

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

657+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 657

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FDMC5614P-B8

MOSFET Transistor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

657+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 657

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FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-B8

MOSFET Transistor

auf Bestellung 1359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

657+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 657

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FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

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FDMC5614P-L701

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.96 EUR
81+	1.72 EUR
82+	1.65 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.36 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 5960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.07 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.96 EUR
81+	1.72 EUR
82+	1.65 EUR
100+	1.45 EUR
250+	1.36 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.43 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.2 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.64 EUR
3000+	1.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.69 EUR
3000+	1.57 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

auf Bestellung 2159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC6296

Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	1.38 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 392

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FDMC6296

Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 2402 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	1.38 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 392

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

auf Bestellung 20197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

460+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 460

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FDMC6296

Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 11624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	1.38 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.07 EUR
10000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 392

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

564+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR
10000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 564

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 3396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.96 EUR
147+	0.95 EUR
176+	0.76 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1328 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

564+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 564

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 2934 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.83 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ
Produktcode: 130485

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 191225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

564+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR
10000+	0.73 EUR
100000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 564

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	2.7 EUR
85+	1.65 EUR
126+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 54

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 4933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
11+	1.67 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.71 EUR
126+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 85

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 192350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.26 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 432

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 41W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.26 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.97 EUR
10000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 432

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FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

auf Bestellung 17969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.81 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.82 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 15305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC6679AZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

auf Bestellung 15015 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.89 EUR

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC6679AZ-P

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

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FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1150+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1150

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FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6683

MOSFET

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FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

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FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

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FDMC6683PZ

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FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

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FDMC6683_P

onsemi

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FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

auf Bestellung 858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.15 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC6686P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -56A; Idm: -377A; 40W; Power33
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -56A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -377A

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FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

auf Bestellung 10729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

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FDMC6686P

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 6813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

596+	0.91 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 596

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FDMC6688P

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 11150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

596+	0.91 EUR
1000+	0.81 EUR
10000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 596

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2761 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

596+	0.91 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 596

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

596+	0.91 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 596

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 10556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

596+	0.91 EUR
1000+	0.81 EUR
10000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 596

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

702+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 702

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

auf Bestellung 14330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

766+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 766

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2895 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

702+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 702

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 7299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

702+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 702

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

702+	0.77 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 702

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.69 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.12 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.5 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
19+	0.93 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 236 Stücke:

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10+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
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1000+	0.58 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 12817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR

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FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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10+	2.29 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.33 EUR
3000+	1.22 EUR

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FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 37 Stücke:

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FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 4145 Stücke:

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5+	4.24 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.5 EUR
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FDMC7208S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 37 Stücke:

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FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

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367+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
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FDMC7570S
Produktcode: 167040

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3017 Stücke:

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57+	2.55 EUR
68+	2.05 EUR
100+	1.67 EUR

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 367

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3017 Stücke:

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57+	2.55 EUR
68+	2.05 EUR
100+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 57

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR
10000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 367

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

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68+	2.15 EUR
69+	2.04 EUR
70+	1.94 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.73 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.54 EUR
3000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 68

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FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 3003 Stücke:

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2+	2.64 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.23 EUR
3000+	1.22 EUR
6000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4172 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

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68+	2.15 EUR
69+	2.04 EUR
70+	1.94 EUR
100+	1.83 EUR
250+	1.73 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.54 EUR
3000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 6533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.35 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 1336 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 367

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

367+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 367

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 348 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.49 EUR

Mindestbestellmenge: 218

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.49 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 218

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1674 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.49 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 218

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 2608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

265+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 265

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3305 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.49 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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FDMC7572S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2608 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.49 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 218

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FDMC7572S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 22.5A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2013 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	2.49 EUR
500+	2.16 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 218

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

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FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	1.66 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 327

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FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

auf Bestellung 2126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.66 EUR
10+	2.35 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 9518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.24 EUR
3000+	1.2 EUR
6000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 327

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.98 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3318 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.98 EUR
6000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660DC

MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 8116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.6 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.21 EUR
6000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

305+	1.78 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 305

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

305+	1.78 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 305

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FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

auf Bestellung 2704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 15873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

305+	1.78 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.37 EUR
10000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 305

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FDMC7660DC

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

305+	1.78 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 305

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FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	1.3 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 418

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FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660S

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7660S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

334+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 334

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FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 5625 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	1.3 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 418

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FDMC7660S

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

auf Bestellung 5647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.26 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Mounting: SMD
Case: Power33
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 41W
Pulsed drain current: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660S-TE

FDMC7660S-TE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

493+	1.1 EUR
547+	0.96 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 493

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FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

570+	0.95 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 570

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 2804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

570+	0.95 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 570

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

auf Bestellung 826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2745 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

624+	0.87 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 624

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 4181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.53 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 33W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 33W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 11181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
13+	1.38 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9009 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

624+	0.87 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 624

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 3452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.68 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2431 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.29 EUR
10+	1.44 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.64 EUR
3000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; Idm: 45A; 36W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 36W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

QFN

auf Bestellung 2044 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

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FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

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FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

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FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

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FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

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FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

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FDMC7678-L701

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 101 Stücke:

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2+	2.27 EUR
10+	1.43 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
3000+	0.56 EUR

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FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

auf Bestellung 1126 Stücke:

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9+	2.09 EUR
14+	1.32 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.34 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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787+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 787

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2422 Stücke:

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787+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR

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FDMC7680

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FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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787+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR

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FDMC7680

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FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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787+	0.69 EUR
1000+	0.61 EUR

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 11422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

454+	1.11 EUR

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FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

auf Bestellung 3 Stücke:

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1+	56 EUR
10+	48.51 EUR
25+	46.82 EUR
50+	45.13 EUR

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FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.84 EUR
175+	0.8 EUR
205+	0.66 EUR
250+	0.63 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 173

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FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 11054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.35 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	0.92 EUR
173+	0.81 EUR
175+	0.77 EUR
205+	0.63 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 157

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FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 59 Stücke:

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FDMC7692

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 40A; 29W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 29W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	0.97 EUR
90+	0.8 EUR
113+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 37139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.49 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7692
Produktcode: 116194

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 7200 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC7692S

QFN

auf Bestellung 2766 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.28 EUR
17+	1.1 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 76828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

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FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

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FDMC7696

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2092 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7696

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1780 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.52 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4337 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

auf Bestellung 1192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC7696

QFN

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

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FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.08 EUR
6000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8010

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Kind of channel: enhancement
Case: Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

221+	0.66 EUR
227+	0.61 EUR
230+	0.59 EUR
235+	0.55 EUR
252+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 221

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FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1386 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.01 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.31 EUR
3000+	1.22 EUR

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FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

314+	1.73 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.33 EUR
10000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 314

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 347 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	2.83 EUR
70+	2.02 EUR
100+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 52

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FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 8997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.75 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

314+	1.73 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 314

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 0.0013 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

314+	1.73 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.33 EUR
10000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 314

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FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6066 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.94 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.37 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.26 EUR

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

170+	2.67 EUR

Mindestbestellmenge: 170

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FDMC8010A

FDMC8010A

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

276+	1.97 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 276

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FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 9546 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.31 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8010DC

MOSFETs TV Monitor/POE/ Network/Telcom

auf Bestellung 12241 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.84 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 99A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 788A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 43049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 249

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 5227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.2 EUR
123+	1.14 EUR
124+	1.08 EUR
126+	1.02 EUR
250+	0.97 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 121

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

640+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 640

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2437 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	1.39 EUR
136+	1.03 EUR
197+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 105

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	0.96 EUR
153+	0.91 EUR
184+	0.73 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 151

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.32 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.09 EUR
151+	0.93 EUR
153+	0.88 EUR
184+	0.7 EUR
250+	0.67 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 133

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

640+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 640

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
13+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.73 EUR

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FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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3000+	0.47 EUR

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FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

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FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

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FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.47 EUR
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500+	1.21 EUR
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FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2130 Stücke:

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FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8030

MOSFETs FPS

auf Bestellung 136 Stücke:

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1+	2.97 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.01 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.84 EUR

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FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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147+	0.99 EUR
168+	0.83 EUR
170+	0.79 EUR
198+	0.65 EUR
500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 147

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FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 8259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.99 EUR

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FDMC8030

MOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 837 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

170+	0.85 EUR
198+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR

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FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

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222+	0.65 EUR
225+	0.62 EUR
229+	0.59 EUR
232+	0.56 EUR
236+	0.53 EUR
250+	0.5 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 222

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 606000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.68 EUR
9000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

624+	0.87 EUR
1000+	0.77 EUR
10000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 624

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

MMOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FDMC8032L

MOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

225+	0.64 EUR
229+	0.61 EUR
232+	0.58 EUR
236+	0.55 EUR
250+	0.52 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 225

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 11970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 595060 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

624+	0.87 EUR
1000+	0.77 EUR
10000+	0.66 EUR
100000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 624

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 2.4/-0.9A; 1.9W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150/-150V
Drain current: 2.4/-0.9A
Power dissipation: 1.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V; ±25V
On-state resistance: 2171/306mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 40013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.69 EUR
10+	5.79 EUR
100+	4.13 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.66 EUR
10+	5.77 EUR
100+	4.14 EUR
500+	3.73 EUR
1000+	3.47 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.22 EUR
10+	5.4 EUR
25+	4.8 EUR
100+	4.19 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

auf Bestellung 5884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.54 EUR
107+	1.31 EUR
108+	1.25 EUR
134+	0.97 EUR
250+	0.92 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 95

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

847+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR
10000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 847

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/18A; 1.9/2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/18A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 32/13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

583+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 583

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.36 EUR
108+	1.3 EUR
134+	1.01 EUR
250+	0.96 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9243 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

847+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 847

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.81 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	0.99 EUR
147+	0.95 EUR
168+	0.8 EUR
250+	0.77 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 146

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC8200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 7335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 10742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 187651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

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FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

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FDMC8296

Fairchild

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 159000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 19700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.23 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.39 EUR
250+	2.38 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.81 EUR
3000+	1.8 EUR

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.75 EUR
85+	1.66 EUR
125+	1.08 EUR
250+	1.02 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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FDMC8321L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Power dissipation: 40W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 100A

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.17 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.92 EUR

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FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 6089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.94 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.87 EUR
250+	1.45 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 78

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.92 EUR
42+	3.4 EUR
43+	3.18 EUR
100+	2.91 EUR
250+	2.51 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 37

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FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2635 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.5 EUR
83+	1.69 EUR
85+	1.6 EUR
125+	1.03 EUR
250+	0.98 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 58

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FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8321LDC

MOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 3114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.94 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.16 EUR
74+	1.81 EUR
100+	1.56 EUR
250+	1.46 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 54231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.26 EUR
10+	2.47 EUR
100+	2 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.16 EUR
74+	1.81 EUR
100+	1.56 EUR
250+	1.46 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 56W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.86 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 51913 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 60A; 30W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 2797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

697+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 697

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6768 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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FDMC8327L

MOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 34231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 7522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.94 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 5740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.47 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8360L

MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

auf Bestellung 3453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.84 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.06 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 2165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.12 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1.09 EUR
6000+	1.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 658A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 7338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.68 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.46 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.8 EUR
3000+	1.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	2.53 EUR
73+	1.93 EUR
78+	1.74 EUR
109+	1.19 EUR
250+	1.13 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 58

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

auf Bestellung 12468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.94 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	2 EUR
78+	1.81 EUR
109+	1.24 EUR
250+	1.18 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 73

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3161 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

494+	1.1 EUR
549+	0.95 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 494

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2660 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.89 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR
3000+	0.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

FAIRCHID

auf Bestellung 6034 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 14550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

272+	0.53 EUR
280+	0.5 EUR
281+	0.48 EUR
296+	0.44 EUR
303+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 272

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

312+	1.74 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 312

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.28 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

178+	0.82 EUR
185+	0.76 EUR
187+	0.72 EUR
194+	0.67 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 178

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	2.55 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.5 EUR
3000+	1.49 EUR
6000+	1.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

312+	1.74 EUR
500+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 312

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 8224 Stücke:

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312+	1.74 EUR
500+	1.51 EUR
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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

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38+	3.84 EUR
59+	2.38 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.07 EUR

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FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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10+	2.68 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.37 EUR
3000+	1.29 EUR
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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1545 Stücke:

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312+	1.74 EUR
500+	1.51 EUR
1000+	1.34 EUR

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FDMC86012

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FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7840 Stücke:

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	1.36 EUR
6000+	1.26 EUR

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FDMC86102

MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench

auf Bestellung 2697 Stücke:

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1+	3.61 EUR
10+	2.73 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.63 EUR
3000+	1.5 EUR
6000+	1.49 EUR

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	1.38 EUR
6000+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.03 EUR

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86102

MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench

auf Bestellung 1962 Stücke:

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1+	5 EUR
10+	3.26 EUR
100+	2.25 EUR

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FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

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FDMC86102

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 60A; 41W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

auf Bestellung 166 Stücke:

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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366+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 366

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FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	1.62 EUR
106+	1.32 EUR
107+	1.26 EUR
131+	0.99 EUR
250+	0.82 EUR

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FDMC86102L

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86102L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41W; MLP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 41W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.37 EUR
107+	1.31 EUR
131+	1.03 EUR
250+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 106

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FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.59 EUR
10+	2.3 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.023 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

366+	1.48 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 366

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC86102L

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.59 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.31 EUR

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.78 EUR
83+	1.7 EUR
106+	1.27 EUR
250+	1.17 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 82

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.02 EUR
6000+	0.95 EUR
9000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

289+	1.88 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 289

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 12299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.42 EUR
84+	1.68 EUR
85+	1.59 EUR
102+	1.27 EUR
250+	1.21 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 60

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 17986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.13 EUR
6000+	1.05 EUR
9000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

auf Bestellung 3641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.28 EUR
10+	2.75 EUR
100+	1.89 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 12299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.42 EUR
84+	1.68 EUR
85+	1.59 EUR
102+	1.27 EUR
250+	1.21 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 60

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FDMC86102LZ

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.19 EUR
10+	2.57 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.53 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar

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FDMC86106LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86106LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33

auf Bestellung 199808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC86106LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R

auf Bestellung 3263 Stücke:

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FDMC86106LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A T/R

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FDMC86116LZ

Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

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Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC86116LZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; Idm: 15A; 19W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 19W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86116LZ

Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.103 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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FDMC86116LZ

MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET

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10+	1.68 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

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6000+	0.55 EUR
9000+	0.51 EUR

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FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

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6000+	0.58 EUR
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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 119 Stücke:

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FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86139P