Produkte > FDM

Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM15-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM2452NZ

05+

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM2502

FAIRCHIL

09+

auf Bestellung 1782 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

auf Bestellung 4849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 807

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM2509NZ

QFN 0642+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3300NZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3622

FDM3622 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 65597 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.45 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3622

Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.02 EUR
6000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.08 EUR
6000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM44528S9J

N/A

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM47-06KC5

FDM47-06KC5 THT N channel transistors

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	47.05 EUR
3+	30.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM47-06KC5

MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

auf Bestellung 9587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 468

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM606P

VSSOP-8 0440+

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM606P

0440+ VSSOP-8

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6269

FAI

08+PB

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6296

FAI

09+

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6296

05+ QFN

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDM7W2SPM-K1468

FCT Group

FCT D-Sub, 7W2 Receptacle/7W2 Plug

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

auf Bestellung 4347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

auf Bestellung 97900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1056+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1056

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 11154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA0104

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 6A; Idm: 55A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 6A
On-state resistance: 61mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Case: WDFN6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

auf Bestellung 11587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.85 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

auf Bestellung 1336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.66 EUR
10+	1.88 EUR
25+	1.87 EUR
100+	1.53 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6952 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.39 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.62 EUR
3000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 31331 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7865 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR
15000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

FDMA1023PZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ-F106

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.76 EUR
6000+	0.7 EUR
9000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 6878 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.5 EUR
10+	1.7 EUR
25+	1.63 EUR
100+	1.19 EUR
250+	1.17 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

auf Bestellung 771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

FDMA1024NZ SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.7 EUR
9000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 2663 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.19 EUR
10+	2.03 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

78+	1.84 EUR
95+	1.45 EUR
102+	1.31 EUR
126+	1.02 EUR
250+	0.96 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 78

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

191+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 191

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1128+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1128

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

FAI

07+

auf Bestellung 112300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

FDMA1027P Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

auf Bestellung 2069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.31 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 10512 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 23983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.49 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 12713 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

auf Bestellung 12713 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

FDMA1028NZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 7877 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	1.97 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

FDMA1029PZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 22236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.41 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

593+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 593

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

FDMA1032CZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.63 EUR
6000+	0.6 EUR
9000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6653 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

auf Bestellung 2983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.08 EUR
134+	1.03 EUR
172+	0.77 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 133

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 28238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 114497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.81 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

FDMA2002NZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.22 EUR
133+	1.04 EUR
134+	0.99 EUR
172+	0.74 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 117

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 114480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.42 EUR
9000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 33356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

MOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 4027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.39 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

FDMA291P SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.036 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: WDFN6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 17490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.08 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

auf Bestellung 30368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 16500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.47 EUR
15000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3254 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

auf Bestellung 11953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

FDMA410NZ SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

auf Bestellung 2051 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 290950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.27 EUR
144+	0.96 EUR
146+	0.91 EUR
179+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 113

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	0.99 EUR
146+	0.95 EUR
179+	0.74 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 5984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 23378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

MOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 8463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.6 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 1294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.7A; Idm: 24A; 2.4W; WDFN6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
Case: WDFN6
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

auf Bestellung 2080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

auf Bestellung 3377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.22 EUR
10+	0.85 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR
3000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 6250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.18 EUR
22+	0.83 EUR
100+	0.56 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 15

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA420NZ

auf Bestellung 4722 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR
6000+	0.47 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.0236 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 29223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

auf Bestellung 2168 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.09 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.49 EUR
6000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.65 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

auf Bestellung 29223 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

auf Bestellung 11980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.67 EUR
12+	1.48 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 5479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.76 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

FDMA507PZ SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 4522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.71 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 9506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

auf Bestellung 26065 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.41 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 3517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA520PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 6390 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.03 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

929+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 929

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 6262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

FDMA530PZ SMD P channel transistors

auf Bestellung 57 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

47+	1.54 EUR
57+	1.26 EUR
74+	0.97 EUR
500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

auf Bestellung 7578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

FDMA6023PZT Multi channel transistors

auf Bestellung 306 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.33 EUR
130+	0.55 EUR
138+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 54

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.24 EUR
129+	1.07 EUR
132+	1.01 EUR
169+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 116

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 88530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

792+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 792

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.55 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.11 EUR
132+	1.05 EUR
169+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 129

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

MOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

auf Bestellung 4864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 89038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

962+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 962

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Trans MOSFET N-CH 20V 9.4A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 3149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 28101 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

FDMA7630 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 10311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 208870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 24A; 2.4W; MicroFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2.4W
Case: MicroFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 918 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	0.91 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.37 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 7388 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.75 EUR
11+	1.74 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 4056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

FDMA8051L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 15666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 14806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8349 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Trans MOSFET N-CH 40V 10A 6-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

auf Bestellung 4247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

auf Bestellung 53131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

FDMA86108LZ SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.75 EUR
9000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 17402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

FDMA86151L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 12428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3001 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
10+	1.91 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 16995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR
9000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 16571 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.56 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 16995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

FDMA86251 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	1.61 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.64 EUR
9000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

FDMA86265P SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

auf Bestellung 1431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 13260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.55 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.08 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 41265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.74 EUR
9000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 63647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 6-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

FDMA86551L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 8436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 4358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 11447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

FDMA8878 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 6506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.45 EUR
10+	2.02 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.13 EUR
3000+	1.1 EUR
6000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 1337705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

926+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 926

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 932 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 527023 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

Trans MOSFET P-CH 12V 10A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2367 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.29 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.87 EUR
6000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

FDMA905P SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 343492 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.06 EUR
10+	2.03 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 339000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.88 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 23804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 17782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 23650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR
9000+	0.48 EUR
15000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 17782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin Micro FET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

auf Bestellung 86094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

FDMA908PZ SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

MOSFETs P-CHAN -20V -9.4A

auf Bestellung 4349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

FDMA910PZ SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 10901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 8875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.47 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

FDMB2307NZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 4185 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.68 EUR
10+	2.64 EUR
25+	2.62 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.49 EUR
3000+	1.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

FDMB2308PZ Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 8954 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.73 EUR
10+	3.07 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

auf Bestellung 16494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

Trans MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

FDMB3800N Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 2471 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.55 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3800N

Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 4508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.41 EUR
116+	1.19 EUR
151+	0.88 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 102

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 7A; Idm: 28A; 1.6W; MicroFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 7A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 28A
Case: MicroFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

auf Bestellung 4929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB3900AN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

auf Bestellung 5237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

452+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 452

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

auf Bestellung 10643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1110+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

auf Bestellung 8059 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.91 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 48328 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.08 EUR
250+	2.04 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

FDMC007N08LC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 619 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Trans MOSFET N-CH 80V 15A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 21095 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.75 EUR
10+	3.53 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 619 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

FDMC007N08LCDC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

auf Bestellung 8697 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	3.56 EUR
25+	3.52 EUR
100+	2.9 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

FDMC007N30D Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 5283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 3802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.08 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 3549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.4 EUR
10+	2.84 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

FDMC008N08C SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

FDMC010N08C SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.67 EUR
10+	4.38 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

auf Bestellung 5974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.84 EUR
10+	4.08 EUR
25+	3.75 EUR
100+	3.29 EUR
250+	3.12 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08LC

FDMC010N08LC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08LC

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2104 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

auf Bestellung 1076 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.58 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.78 EUR
500+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 1271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.15 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.34 EUR
3000+	0.91 EUR
6000+	0.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC012N03

auf Bestellung 2104 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

194+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 194

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

auf Bestellung 2037 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC013P030Z

Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15629 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 14629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1211

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1665+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1665

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 32742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

Trans MOSFET N-CH 30V 19A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

auf Bestellung 10176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.37 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR
3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

FDMC0310AS-F127 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

FDMC0310AS-F127-L701

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 2575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
14+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1217 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.1 EUR
10+	2.8 EUR
25+	2.64 EUR
100+	2.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

FDMC15N06 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

auf Bestellung 1529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

MOSFETs -150V P-Channel QFET

auf Bestellung 3566 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.46 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.28 EUR
3000+	1.08 EUR
6000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.32 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Trans MOSFET P-CH 150V 3A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2076 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

FDMC2610 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 42540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
10+	3 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14503 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.52 EUR
10+	3.13 EUR
100+	2.25 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.88 EUR
3000+	1.73 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

FDMC2674 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.51 EUR
6000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	2.46 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.97 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.57 EUR
3000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 25839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.31 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

auf Bestellung 2267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.07 EUR
10+	3.66 EUR
25+	3.47 EUR
100+	2.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

FDMC3020DC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

420+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 420

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 327119 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
16+	1.12 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

FDMC3612 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.05 EUR
149+	0.89 EUR
250+	0.86 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 131

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 327000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.42 EUR
15000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.18 EUR
131+	1.01 EUR
149+	0.86 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 121

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 9426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1 EUR
25+	0.99 EUR
100+	0.76 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.88 EUR
14+	1.26 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

MOSFETs FET 100V 1100 MOHM MLP33

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.92 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

N-Channel Power Trench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

FDMC3612-L701 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 55751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.41 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 69207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

760+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 760

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Case: MLP8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
On-state resistance: 37mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2819 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

47+	1.54 EUR
78+	0.92 EUR
100+	0.72 EUR
105+	0.68 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ
Produktcode: 52237

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 26227 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.64 EUR
12+	1.47 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

auf Bestellung 69207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

auf Bestellung 2819 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	1.54 EUR
78+	0.92 EUR
100+	0.72 EUR
105+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 47

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.66 EUR
9000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 26946 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

760+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 760

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F126

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 4776 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1191+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1191

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

auf Bestellung 23810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F126

TRANS MOSFET P-CH 30V 8.5A 8-PIN POWER 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

auf Bestellung 5049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

676+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 676

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

auf Bestellung 18596 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

676+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 676

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127

Description: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
10+	1.83 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.97 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ_F106

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

841+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 841

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

P-Channel Power Trench® MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

FDMC4D9P20X8 SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	2.85 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.85 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Case: MLP8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 66032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.66 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P-F106

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -18A; Idm: -50A; 41W; MLP8
Mounting: SMD
Case: MLP8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 116nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -50A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P-F106

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P-F106

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 5490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

FDMC5614P SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P-B8

MOSFET Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P-L701

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 5960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.07 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.43 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.2 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.64 EUR
3000+	1.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 5861 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.94 EUR
81+	1.7 EUR
82+	1.63 EUR
100+	1.43 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

FDMC610P SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.94 EUR
81+	1.7 EUR
82+	1.63 EUR
100+	1.43 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 74

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 0.0028 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 5911 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

auf Bestellung 20197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

460+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 460

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ
Produktcode: 130485

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	1.16 EUR
139+	0.99 EUR
140+	0.95 EUR
164+	0.78 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 123

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.03 EUR
140+	0.99 EUR
164+	0.81 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 139

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 4909 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.53 EUR
100+	1.16 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 4933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
11+	1.67 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; Idm: -32A; 36W; WDFN8
Mounting: SMD
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -32A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 192350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 19828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

586+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 586

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

586+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 586

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 41W; WDFN8
Case: WDFN8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

auf Bestellung 19828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

auf Bestellung 25027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.74 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ-P

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1150+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1150

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683

P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.3 m Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683PZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683_P

onsemi

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

Trans MOSFET P-CH 20V 18A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

FDMC6686P SMD P channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

auf Bestellung 858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.15 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

auf Bestellung 10729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 9964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 10556 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 6813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 14450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 2761 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.69 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

auf Bestellung 14330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

766+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 766

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
19+	0.93 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 16

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

FDMC7200 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.67 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 12817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

FDMC7200S Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Trans MOSFET N-CH 30V 12A/16A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 4145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.24 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

FDMC7208S Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.82 EUR
10+	2.29 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.33 EUR
3000+	1.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

auf Bestellung 2794 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

FDMC7570S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 3280 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.6 EUR
1000+	2.52 EUR
3000+	2.01 EUR
6000+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
69+	2.02 EUR
70+	1.91 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.52 EUR
3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S
Produktcode: 167040

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 6533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.35 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
69+	2.02 EUR
70+	1.91 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.52 EUR
3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1674 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 2608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

265+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 265

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3563 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 17422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.74 EUR
250+	1.61 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.25 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

auf Bestellung 16987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.94 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 41W; PQFN8
Case: PQFN8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 86nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

65+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

auf Bestellung 3563 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

65+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 65

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660DC

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

auf Bestellung 4785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.71 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.66 EUR
500+	1.41 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660DC

MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.6 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660DC

FDMC7660DC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 200A; 41W; Power33
Case: Power33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 40A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
Technology: PowerTrench®
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 200A
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 41W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

auf Bestellung 6192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.36 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

auf Bestellung 2870 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.39 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

auf Bestellung 826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 2804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 4976 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	1.14 EUR
100+	1 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

FDMC7672 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 11181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
13+	1.38 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 4654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.76 EUR
10+	1.44 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

QFN

auf Bestellung 2044 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

FDMC7672S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

TRANS MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-PIN MLP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

auf Bestellung 4803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.2 EUR
13+	1.39 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

FDMC7680 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	56 EUR
10+	48.51 EUR
25+	46.82 EUR
50+	45.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 11422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

454+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 454

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7680

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.34 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692
Produktcode: 116194

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.83 EUR
175+	0.79 EUR
205+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 173

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

FDMC7692 SMD N channel transistors

auf Bestellung 2962 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

55+	1.31 EUR
99+	0.73 EUR
105+	0.69 EUR
500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 55

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	0.91 EUR
173+	0.8 EUR
175+	0.76 EUR
205+	0.62 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 157

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 37139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.49 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

QFN

auf Bestellung 2766 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 76828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

FDMC7692S SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.28 EUR
17+	1.1 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

FDMC7696 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

auf Bestellung 1192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

QFN

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6117 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.6 EUR
10+	1.28 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

auf Bestellung 6214 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 18208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.73 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 310

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2923 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 8246 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.54 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.73 EUR
93+	1.49 EUR
94+	1.42 EUR
100+	1.32 EUR
250+	1.22 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 83

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

FDMC8010 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.73 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 310

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.73 EUR
93+	1.49 EUR
94+	1.42 EUR
100+	1.32 EUR
250+	1.22 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 83

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6066 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.94 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.37 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

auf Bestellung 2923 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 9885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.73 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 310

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010A

FDMC8010A

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

276+	1.95 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 276

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 249

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 18751 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

FDMC8010DC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

auf Bestellung 10099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.82 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

642+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 642

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

642+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 642

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 249

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 43049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 5227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.19 EUR
123+	1.13 EUR
124+	1.07 EUR
126+	1.01 EUR
250+	0.96 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 121

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	0.95 EUR
153+	0.9 EUR
184+	0.72 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 151

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.08 EUR
151+	0.92 EUR
153+	0.87 EUR
184+	0.7 EUR
250+	0.66 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 133

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

FDMC8015L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.32 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
13+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
10+	2.05 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; 14W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 14W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 45667 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

MOSFETs FPS

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.59 EUR
10+	1.83 EUR
25+	1.76 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.03 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 8259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 837 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

153+	0.94 EUR
177+	0.78 EUR
179+	0.74 EUR
211+	0.61 EUR
500+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 153

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

auf Bestellung 45667 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 837 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

179+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 179

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.68 EUR
9000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 606000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.04 EUR
6000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

119+	1.21 EUR
121+	1.14 EUR
156+	0.85 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 119

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 11970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	1.46 EUR
119+	1.16 EUR
121+	1.1 EUR
156+	0.82 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 99

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

MOSFET FET 40V 20.0 MOHM MLP

auf Bestellung 8998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.22 EUR
10+	5.4 EUR
25+	4.8 EUR
100+	4.19 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

FDMC8097AC Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Trans MOSFET N/P-CH 150V 2.4A/0.9A 8-Pin Power 33 EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 40013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.69 EUR
10+	5.79 EUR
100+	4.13 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

auf Bestellung 5884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

FDMC8200 Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.52 EUR
107+	1.3 EUR
108+	1.24 EUR
134+	0.96 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 95

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

583+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 583

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.35 EUR
108+	1.29 EUR
134+	0.99 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.06 EUR
146+	0.95 EUR
147+	0.91 EUR
168+	0.76 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 135

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.81 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

FDMC8200S Multi channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	0.98 EUR
147+	0.94 EUR
168+	0.79 EUR
250+	0.76 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 146

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 7335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 10742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 187651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

QFN8

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 159000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.87 EUR
42+	3.36 EUR
43+	3.14 EUR
100+	2.88 EUR
250+	2.48 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

FDMC8321L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.87 EUR
42+	3.36 EUR
43+	3.14 EUR
100+	2.88 EUR
250+	2.48 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 14448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.14 EUR
10+	3.38 EUR
100+	2.41 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 19700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.23 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.39 EUR
250+	2.38 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.81 EUR
3000+	1.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 14448 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
74+	1.79 EUR
100+	1.54 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 54231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.26 EUR
10+	2.47 EUR
100+	2 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

MOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 3114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.94 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.65 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

FDMC8321LDC SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
74+	1.79 EUR
100+	1.54 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 0.0074 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 51913 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.87 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

FDMC8327L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.85 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 1069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.4 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

auf Bestellung 8996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 2797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

697+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 697

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.94 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

auf Bestellung 3453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.84 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin Power QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

FDMC8360L SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 5740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.47 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 35184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.22 EUR
10+	2.9 EUR
100+	2.02 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 2275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.78 EUR
10+	2.73 EUR
100+	2.18 EUR
250+	2.01 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.56 EUR
3000+	1.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Trans MOSFET N-CH 40V 27A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

FDMC8360LET40 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

FDMC8462 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

auf Bestellung 5008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.17 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 7338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.68 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.46 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.8 EUR
3000+	1.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

FDMC8554 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 14550 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

FAIRCHID

auf Bestellung 6034 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

272+	0.53 EUR
280+	0.49 EUR
281+	0.47 EUR
296+	0.43 EUR
303+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 272

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

auf Bestellung 532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.39 EUR
104+	1.33 EUR
106+	1.25 EUR
250+	1.2 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 103

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 88A; Idm: 230A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 14309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.5 EUR
103+	1.34 EUR
104+	1.28 EUR
106+	1.21 EUR
250+	1.15 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 95

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

auf Bestellung 3504 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.11 EUR
10+	4.4 EUR
100+	3.41 EUR
500+	2.97 EUR
1000+	2.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 172

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3043 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.64 EUR
10+	2.55 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.5 EUR
3000+	1.49 EUR
6000+	1.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

FDMC86102 SMD N channel transistors

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.34 EUR
6000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 2781 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.88 EUR
10+	3.16 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.77 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench

auf Bestellung 8884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.54 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.34 EUR
250+	2.16 EUR
500+	1.97 EUR
1000+	1.69 EUR
3000+	1.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.36 EUR
6000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 2525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102L