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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDM-1GBussmann / EatonSwitch Fixings FUSE DISPLAY MERCHANDISER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM-2
Produktcode: 177331
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM-2Bussmann / EatonSwitch Fixings FUSE DISPLAY MERCHANDISER
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FDM-2Eaton BussmannDescription: FUSE DISPLAY MERCHANDISER
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FDM-2EBussmann / EatonSwitch Fixings FUSE DISPLAY MERCHANDISER
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FDM-2EEaton BussmannDescription: FUSE DISPLAY MERCHANDISER
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FDM01
Produktcode: 221326
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FNIRSIWerkzeuge und Geräte > Messgeräte
Gruppe: Schallpegelmesser
Beschreibung: Digitaler Schallpegelmesser (Schallpegelmessgerät). Messbereich 30...130 dB, Genauigkeit ±1.5 dB. Frequenzbereich 31.5Hz...8.5kHz. Display farbig, 4 Stellen, Aktualisierungsrate 2 mal/s. Zwei Reaktionsgeschwindigkeiten: FAST empfindlicher und SLOW stabiler. Referenzschallquelle 94 dB@1kHz. Überlastanzeigen OVER/UNDER, Messwerthaltung (Data Hold), Max/Min. Kondensatormikrofon 6 mm, Windschutz. Entspricht den Normen IEC651 TYPE2 und ANSI S1.4 TYPE2. Akku 600mAh/3.7V, Laden USB Type-C. Gehäuse ABS. Betriebstemperatur -5...40°C, Luftfeuchtigkeit <80%. Abmessungen: 190x61x31mm.
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erwartet: 10 St.
  • 10 St. - erwartet 25.09.2027
1+39.17 EUR
10+38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM04108QFPFUKUDA9651
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDM100-0045SPIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5
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 Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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FDM15-06KC5IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM15-06KC5IXYSMOSFET Standard Rectifier Bridge
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FDM1501-M0DB101W1KCTXGAFDM1501-M0DB101W1KC Machined pin D-SUB 90°Angle Male 15Circuits (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM1501-M0DB103W1KCTXGAFDM1501-M0DB103W1KC D-Sub Connectors Through Hole D-Sub Number of Positions:15 PC Pin (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM1503-F0WS101W1KTXGAFDM1503-F0WS101W1K Machined pin D-SUB 15Circuits, Female, Welding, 1u`` (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM1503-F0WS103W1KTXGAFDM1503-F0WS103W1K Machined pin D-SUB Female 15Circuits (TXGA) Розніми D-SUB, SCSI, Centronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM21-05QCIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: i4-Pac™-5
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM2452NZFAIRCHILD05+
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDM2502FAIRCHIL09+
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDM2509NZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin
auf Bestellung 4849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
807+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 807 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM2509NZFAIRCHILDQFN 0642+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM2509NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM3300NZ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM3300NZON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM3622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 30352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.69 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM3622onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.12 EUR
10+2.56 EUR
100+1.99 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM3622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.11 EUR
6000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM3622ONN
auf Bestellung 698 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM44528S9JN/A
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM47-06KC5LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM47-06KC5IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM47-06KC5IXYSMOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM606PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
auf Bestellung 9587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM606PFAIRCHILD0440+ VSSOP-8
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM6269FAI08+PB
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM6296FAI09+
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDM6296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA008P20LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 97904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA008P20LZON Semiconductor / FairchildMOSFET CSP
auf Bestellung 4347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA008P20LZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 97904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
870+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 870 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA008P20LZonsemiDescription: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 97900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1056+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1056 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA0104Fairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
auf Bestellung 11154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
888+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA0104ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1069 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA037N08LConsemiMOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+1.89 EUR
100+1.52 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA037N08LCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA037N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V
auf Bestellung 5587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
11+1.93 EUR
100+1.55 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA037N08LCON Semiconductor
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA037N08LConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.54 EUR
9000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZonsemi / FairchildMOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.5 EUR
100+1 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 6031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZonsemiMOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.62 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.7A; 1.5W; MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.195Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
Case: MicroFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
130+1.8 EUR
194+1.11 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
6000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZ-F106onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1023PZ-F106ON Semiconductor / FairchildMOSFET DualP-ch powertrench mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.88 EUR
111+2.09 EUR
152+1.42 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 11536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 6A; 1.4W; WDFN6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Gate charge: 7.3nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.4W
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±8V
Case: WDFN6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.88 EUR
111+2.09 EUR
152+1.42 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1024NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1025PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 92860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.64 EUR
233+1 EUR
324+0.67 EUR
404+0.54 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1025PFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 92860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1128+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1025PON Semiconductor / FairchildMOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5488 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PFAI07+
auf Bestellung 112300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027Ponsemi / FairchildMOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH
auf Bestellung 2069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.56 EUR
10+1.38 EUR
100+0.94 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.61 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1027PTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 237345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1451+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
100000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.7A; 1.4W; MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: MicroFET
On-state resistance: 90mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZonsemiMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.15 EUR
10+1.36 EUR
100+0.88 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+0.64 EUR
313+0.54 EUR
314+0.51 EUR
374+0.42 EUR
379+0.39 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 11113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1451+0.45 EUR
10000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 915 Stücke:
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FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA1028NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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FDMA1028NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDMA1028NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R
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FDMA1028NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FDMA1028NZ-F021onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
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