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Description: MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5

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FDM15-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

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FDM15-06KC5

MOSFET Standard Rectifier Bridge

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FDM21-05QC

Description: MOSFET N-CH 500V 21A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V

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FDM2452NZ

05+

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM2502

FAIRCHIL

09+

auf Bestellung 1782 Stücke:

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FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

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FDM2509NZ

QFN 0642+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM2509NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 2x2 Thin

auf Bestellung 4849 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

807+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 807

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FDM3300NZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDM3300NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET

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FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

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FDM3622

Description: MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V

auf Bestellung 2696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.34 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDM3622

auf Bestellung 698 Stücke:

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FDM3622

MOSFET 100V N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.62 EUR
10+	2.15 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.08 EUR
6000+	1.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDM44528S9J

N/A

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM47-06KC5

Littelfuse

Trans MOSFET N-CH Si 600V 47A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4

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FDM47-06KC5

Description: MOSFET N-CH 600V 47A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

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FDM47-06KC5

MOSFETs CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

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FDM606P

VSSOP-8 0440+

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM606P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.92W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V

auf Bestellung 9587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

468+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 468

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FDM606P

0440+ VSSOP-8

auf Bestellung 561 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM6269

FAI

08+PB

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM6296

FAI

09+

auf Bestellung 882 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33

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FDM6296

05+ QFN

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA008P20LZ

MOSFET CSP

auf Bestellung 4347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA008P20LZ

Description: SINGLE P-CHANNEL POWERTRENCH MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4383 pF @ 10 V

auf Bestellung 97900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1056+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 1056

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FDMA008P20LZ

Description: ONSEMI - FDMA008P20LZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 97904 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA0104

Description: ONSEMI - FDMA0104 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

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FDMA0104

Description: TRANS MOSFET N-CH 20V 9.4A 6PIN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 11154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

888+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 888

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

auf Bestellung 5587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.85 EUR
11+	1.62 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

MOSFETs FET 80V 3.7 MOHM MLP33

auf Bestellung 1286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.8 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

Description: ONSEMI - FDMA037N08LC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA037N08LC

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 25401 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.02 EUR
14+	1.27 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

MOSFETs -20V Dual P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.5 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: ONSEMI - FDMA1023PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7253 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.52 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.46 EUR
15000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1023PZ-F106

MOSFET DualP-ch powertrench mosfets

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1024NZ

Description: ONSEMI - FDMA1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 771 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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204+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 204

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FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 47254 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.62 EUR
18+	1.01 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 11536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.65 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1024NZ

auf Bestellung 771 Stücke:

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 46500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.4 EUR
6000+	0.37 EUR
9000+	0.35 EUR
15000+	0.34 EUR
21000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1025P

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1128+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 1128

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FDMA1025P

MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA1025P

Description: ONSEMI - FDMA1025P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.088ohm
Verlustleistung Pd: 1.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 92860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1027P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027P

FAI

07+

auf Bestellung 112300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027P

MOSFETs MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH

auf Bestellung 2069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.31 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMA1027P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1027PT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET

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FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1028NZ

MOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 10592 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.41 EUR
10+	0.88 EUR
100+	0.57 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.37 EUR
3000+	0.34 EUR
6000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1028NZ

Description: ONSEMI - FDMA1028NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.068 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 8398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1028NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 3920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.43 EUR
20+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA1028NZ

auf Bestellung 8398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA1028NZ-F021

MOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ-F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 87000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1028NZ_F021

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET

auf Bestellung 294887000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 624 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 84000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.35 EUR
6000+	0.32 EUR
9000+	0.31 EUR
15000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.52 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1029PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 86974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.44 EUR
20+	0.9 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1032CZ

MOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6856 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.47 EUR
10+	0.92 EUR
100+	0.59 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.35 EUR
6000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 2686 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
20+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

593+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 593

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FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1032CZ

Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R

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FDMA1032CZ

Description: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA1032CZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA1430JP

MOSFET P-Chan -30V -2.9A

auf Bestellung 2983 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA1430JP

Description: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 30V
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 2.9A
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, P-Channel
Applications: Load Switch
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

117+	1.22 EUR
133+	1.04 EUR
134+	0.99 EUR
172+	0.74 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 117

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FDMA2002NZ

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 28238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.44 EUR
6000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA2002NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.08 EUR
134+	1.03 EUR
172+	0.77 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 133

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FDMA2002NZ

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 33356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.27 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.52 EUR
3000+	0.46 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMA2002NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 7740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.74 EUR
17+	1.09 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 4027 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.39 EUR
19+	0.94 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA291P

Description: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA291P

MOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4007 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.65 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA291P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA291P

Trans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA291P

auf Bestellung 1170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA3023PZ

MOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench

auf Bestellung 30368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.37 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 29810 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Case: WDFN6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.48 EUR
6000+	0.45 EUR
9000+	0.43 EUR
15000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3023PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3254 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4317 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3027PZ-F130

Description: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3028N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA3028N

MOSFET 30V Dual N-Channel

auf Bestellung 11953 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.27 EUR
144+	0.96 EUR
146+	0.91 EUR
179+	0.71 EUR
250+	0.68 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 113

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

auf Bestellung 2051 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

144+	0.99 EUR
146+	0.95 EUR
179+	0.74 EUR
250+	0.71 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 144

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 290950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.47 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

auf Bestellung 2259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

MOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch

auf Bestellung 5984 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.51 EUR
6000+	0.48 EUR
9000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

MOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 1294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 23378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.41 EUR
15+	1.22 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

MOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2

auf Bestellung 8463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.6 EUR
10+	1.08 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT

Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.51 EUR
9000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

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FDMA410NZT-F130

MOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET

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FDMA410NZT-F130

Description: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V

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FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.37 EUR
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FDMA420NZ

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FDMA420NZ

Description: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 4722 Stücke:

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FDMA420NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V

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22+	0.83 EUR
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500+	0.47 EUR
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FDMA420NZ

MOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V

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10+	0.84 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR

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FDMA420NZ

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FDMA430NZ

Description: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2580 Stücke:

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FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

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3000+	0.53 EUR
6000+	0.44 EUR

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FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.53 EUR
6000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

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3000+	0.38 EUR
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FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.53 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA430NZ

MOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER

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FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	0.5 EUR

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FDMA430NZ

auf Bestellung 2580 Stücke:

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FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA430NZ

Description: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.53 EUR
19+	0.96 EUR
100+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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FDMA430NZ

Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

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819+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 819

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FDMA507PZ

Description: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 4522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.71 EUR
3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

auf Bestellung 934 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V

auf Bestellung 5479 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.76 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA507PZ

MOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 9506 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 3517 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

MOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench

auf Bestellung 26065 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.41 EUR
10+	1.24 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.6 EUR
3000+	0.55 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

Fairchil

10+ SOT153

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA510PZ

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA520PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA520PZ

MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

929+	0.58 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 929

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Description: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 1238 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

MOSFETs -30V P-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.18 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.97 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA530PZ

auf Bestellung 5232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA530PZ

Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA530PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 15 V

auf Bestellung 1647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
14+	1.35 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
16+	1.11 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: µFET
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.4W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.56 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

116+	1.24 EUR
129+	1.07 EUR
132+	1.01 EUR
169+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 116

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FDMA6023PZT

Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)

auf Bestellung 88530 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

792+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 792

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FDMA6023PZT

Description: ONSEMI - FDMA6023PZT - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.6 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 375297 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA6023PZT

Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin MicroFET T/R

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

129+	1.11 EUR
132+	1.05 EUR
169+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 129

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FDMA6023PZT

MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.55 EUR
10+	1.38 EUR
100+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

MOSFETs Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -11A, 13.5mohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA6676PZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA710PZ

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Description: FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 10 V

auf Bestellung 89038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

962+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 962

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FDMA7628

MOSFET Snlg PT4, N 20/8V in MLP 2.05x2.05

auf Bestellung 4864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7628

Description: ONSEMI - FDMA7628 - FDMA7628, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 10130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.48 EUR
20+	0.92 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 12

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.33 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7630

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 22798 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.52 EUR
10+	0.94 EUR
100+	0.84 EUR
24000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 10311 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7632

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

Description: ONSEMI - FDMA7670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.015 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

auf Bestellung 208870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7670

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 7388 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.75 EUR
11+	1.74 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

auf Bestellung 2770 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

MOSFETs 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.42 EUR
10+	0.89 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.41 EUR
3000+	0.32 EUR
6000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Description: MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.74 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA7672

Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 4056 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 15666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.59 EUR
11+	1.65 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMA8051L

MOSFET FET 40V 14.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 14806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.46 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.79 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA8051L

Description: ONSEMI - FDMA8051L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 10 A, 0.014 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8051L

Description: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR
6000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.79 EUR
6000+	0.75 EUR
9000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA86108LZ

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA86108LZ

MOSFET FET 100V 243.0 MOHM MLP

auf Bestellung 4247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86108LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 243mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 50 V

auf Bestellung 53131 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.86 EUR

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FDMA86108LZ

MOSFETs Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 17402 Stücke:

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2+	1.85 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.77 EUR
3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4661 Stücke:

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3+	1.24 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA86151L

Description: ONSEMI - FDMA86151L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.3 A, 0.06 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

MOSFET FET 100V 88.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 12428 Stücke:

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FDMA86151L

MOSFETs 100 V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4641 Stücke:

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2+	2.18 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.73 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86151L

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET

auf Bestellung 3001 Stücke:

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9+	2.15 EUR
10+	1.91 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMA86151L

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 16995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
15+	1.23 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

MOSFETs 150V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 15788 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.48 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.58 EUR
6000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Description: MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 75 V

auf Bestellung 16995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.62 EUR
6000+	0.59 EUR
9000+	0.56 EUR

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86251

Trans MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-Pin MicroFET EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 0.86 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 1431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 12650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: ONSEMI - FDMA86265P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1 A, 1.2 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR
9000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86265P

MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.5 EUR
10+	1.57 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.76 EUR
3000+	0.67 EUR
6000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: ONSEMI - FDMA86551L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 41265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.87 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

MOSFET FET 60V 23.0 MOHM MLP22

auf Bestellung 63647 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.88 EUR
6000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

auf Bestellung 2867 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA86551L

Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.77 EUR
6000+	0.74 EUR
9000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 4358 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 18194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.33 EUR
10+	2.13 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

MOSFETs N-CHAN 30V 9A 2.4W

auf Bestellung 5997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.53 EUR
100+	1.21 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA8878

Description: ONSEMI - FDMA8878 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.013 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 11447 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA8878

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA8878-F130

Description: 30V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

auf Bestellung 1337705 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

926+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 926

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FDMA8878-F130

Description: ONSEMI - FDMA8878-F130 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA8884

MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 932 Stücke:

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FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA8884

Rochester Electronics, LLC

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA8884

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

auf Bestellung 527023 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.36 EUR
6000+	0.34 EUR
9000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA905P

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMA905P

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3405 pF @ 6 V

auf Bestellung 11695 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.5 EUR
19+	0.93 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.47 EUR
1000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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FDMA905P

MOSFETs -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.25 EUR
10+	0.87 EUR
100+	0.6 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMA905P-SN00294

Description: MOSFET P-CH 12V 10A
Packaging: Bulk

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FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 17782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMA908PZ

MOSFET Single P-Channel PowerTrench MOSFET -12V, -12A, 12.5mohm

auf Bestellung 86094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.33 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.57 EUR
3000+	0.48 EUR
6000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 23804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.13 EUR
14+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMA908PZ

Description: ONSEMI - FDMA908PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.01 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 17782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA908PZ

Description: MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3957 pF @ 6 V

auf Bestellung 23650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR
6000+	0.5 EUR
9000+	0.48 EUR
15000+	0.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMA910PZ

MOSFETs P-CHAN -20V -9.4A

auf Bestellung 4349 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMA910PZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9.4A; Idm: -45A; 2.4W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: MicroFET
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -45A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9.4A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate-source voltage: ±8V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 9.4A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMA910PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 10 V

auf Bestellung 3291 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.36 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 13

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR
6000+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.47 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR
3000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Description: MOSFET 2N-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)

auf Bestellung 8875 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.53 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2307NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 9.7A 6-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 2944 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.72 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

MOSFETs Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench

auf Bestellung 626 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.35 EUR
10+	2.82 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.46 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: MOSFET 2P-CH 6MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MLP (2x3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -7A; Idm: -30A; 2.2W; WDFN6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.2W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB2308PZ

Description: ONSEMI - FDMB2308PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 10662 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
13+	1.43 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDMB3800N

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMB3800N

Description: ONSEMI - FDMB3800N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 4508 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMB3800N

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 750mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.6 EUR
6000+	0.56 EUR
9000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMB3800N

MOSFETs 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET

auf Bestellung 14012 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.31 EUR
10+	1.36 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.69 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMB3900AN

MOSFET 25V Dual N-Chanenl

auf Bestellung 4929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3427 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMB3900AN

Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.41 EUR
116+	1.19 EUR
151+	0.88 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 102

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FDMB3900AN

Description: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMB3900AN

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMB506P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 10 V

auf Bestellung 5237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

452+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 452

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FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMB668P

Description: MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 10 V

auf Bestellung 10643 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1110+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1110

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FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

auf Bestellung 4791 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.45 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2 EUR
500+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LC

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC007N08LC

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: ONSEMI - FDMC007N08LCDC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 6800 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

MOSFETs FET 80V 64A 6.8 mOhm

auf Bestellung 6351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.32 EUR
10+	4.17 EUR
100+	2.96 EUR
500+	2.68 EUR
1000+	2.6 EUR
3000+	2.27 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

Description: MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 40 V

auf Bestellung 15582 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.25 EUR
10+	4.11 EUR
100+	2.9 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N08LCDC

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

MOSFETs Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1578 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.02 EUR
10+	1.35 EUR
100+	1 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.72 EUR
3000+	0.63 EUR
6000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Description: MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 5283 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
12+	1.54 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC007N30D

Trans MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

MOSFETs 80V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 3802 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.08 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC008N08C

Description: MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 40 V

auf Bestellung 3549 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.4 EUR
10+	2.84 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

auf Bestellung 2705 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Description: ONSEMI - FDMC010N08C - FET 80V 10.0 MOHM IN 3X3CLIP / REEL 65AC4694
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

MOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm

auf Bestellung 5937 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.87 EUR
10+	2.57 EUR
250+	2.55 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.45 EUR
3000+	2.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08C

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/51A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 40 V

auf Bestellung 5400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.67 EUR
10+	4.38 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08LC

Description: N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC010N08LC

MOSFET FET 80V 51A 10.9 mOhm

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FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 271 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.09 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC012N03

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 117A; Idm: 688A; 64W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 688A
Power dissipation: 64W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

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FDMC012N03

Description: ONSEMI - FDMC012N03 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 960 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 878 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC012N03

MOSFETs PT9 N-ch 30V/12V Power Trench MOSFET

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2+	2.73 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.29 EUR
1000+	2.09 EUR
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FDMC012N03

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC012N03

auf Bestellung 878 Stücke:

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FDMC012N03

Description: MOSFET N-CH 30V 35A/185A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8183 pF @ 15 V

auf Bestellung 1002 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.78 EUR
10+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC013P030Z

Description: P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5785 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

194+	2.73 EUR

Mindestbestellmenge: 194

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FDMC013P030Z

MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -54A, 7.0m

auf Bestellung 2037 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC0202S

Description: ONSEMI - FDMC0202S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 15629 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0202S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 14629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1211+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1211

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FDMC0205

Description: ONSEMI - FDMC0205 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0205

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 188630 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1480+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 1480

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FDMC0208

Description: ONSEMI - FDMC0208 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0208

Description: N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC0222

Description: ONSEMI - FDMC0222 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0222

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

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FDMC0223

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 6940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1665+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1665

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FDMC0225

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

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FDMC0225

Description: ONSEMI - FDMC0225 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 200580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0228

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

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FDMC0228

Description: ONSEMI - FDMC0228 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC0310AS

MOSFET PT8 NCH 30V/20V S ML

auf Bestellung 1962 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC0310AS

Description: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN

auf Bestellung 1567 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC0310AS-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 32742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.76 EUR
15+	1.19 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127

MOSFETs Computing MOSFET

auf Bestellung 2163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.91 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR
3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC0310AS-F127-L701

Description: PT8 NCH 30V/20V S ML
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

auf Bestellung 2575 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
14+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC035N10X1

Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

MOSFET UltraFET 55V, 15A

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.1 EUR
10+	2.8 EUR
25+	2.64 EUR
100+	2.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: ONSEMI - FDMC15N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1217 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC15N06

Description: MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2512SDC

MOSFET N-Channel Dual CoolTM 33 PowerTrench SyncFETTM 25V, 40A, 2.0m

auf Bestellung 1529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2512SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

auf Bestellung 394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2514SDC

Description: MOSFET N-CH 25V 24A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC2523P

Fairchild/ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC2523P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 3 A, 1.5 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1881 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2523P

P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 3 А; Ptot, Вт = 42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 25; Qg, нКл = 9 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 1,5 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; PowerVDFN-8

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2523P

MOSFETs -150V P-Channel QFET

auf Bestellung 13921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.18 EUR
3000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC2523P

ON-Semiconductor

P-MOSFET 150V 3A FDMC2523P TFDMC2523P
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

20+	2.72 EUR

Mindestbestellmenge: 20

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FDMC2523P

Description: MOSFET P-CH 150V 3A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

auf Bestellung 3127 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.47 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC2523P

auf Bestellung 1881 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2523P

On Semiconductor

MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

auf Bestellung 945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC2610

Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2610

Description: MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V

auf Bestellung 42540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.36 EUR
10+	3 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC2610

MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	2.89 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.76 EUR
3000+	1.56 EUR

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FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC2674

Trans MOSFET N-CH Si 220V 1A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC2674

Description: ONSEMI - FDMC2674 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 220 V, 7 A, 0.305 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 220V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: UltraFET Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.51 EUR
6000+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC2674

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 2112 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	2.46 EUR
100+	2.13 EUR
250+	1.97 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.57 EUR
3000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC2674

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC2674

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC2674

Description: MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

auf Bestellung 25839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.31 EUR
10+	2.97 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.96 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC2D8N025S

MOSFET N-ChannelPowerTrench MOSFET,PwrClip 33Sin

auf Bestellung 2267 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.43 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC2D8N025S

Description: MOSFET N-CH 25V 124A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 13 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Standard Clock Oscillators XLL3 5032 HCMOS XO LOW JITTER

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.07 EUR
10+	3.66 EUR
25+	3.47 EUR
100+	2.94 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3020DC-P

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3300NZA

Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8PWR33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

349+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 349

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3300NZA

Description: ONSEMI - FDMC3300NZA - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9169 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

131+	1.05 EUR
149+	0.89 EUR
250+	0.86 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 131

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: ONSEMI - FDMC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.092 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1539 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

MOSFETs 100V PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 9426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.46 EUR
10+	1 EUR
25+	0.99 EUR
100+	0.76 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 15393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.83 EUR
16+	1.15 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 963 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.18 EUR
131+	1.01 EUR
149+	0.86 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 121

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.46 EUR
6000+	0.43 EUR
9000+	0.41 EUR
15000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

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10+	1.88 EUR
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FDMC3612-L701

Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.3A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC3612-L701

MOSFETs FET 100V 1100 MOHM MLP33

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2+	1.92 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.66 EUR
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FDMC3612-L701

Description: POWER TRENCH MOSFET N-CHANNEL 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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760+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

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FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 10730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.66 EUR
6000+	0.61 EUR
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FDMC4435BZ
Produktcode: 52237

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 67177 Stücke:

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FDMC4435BZ

MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench

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10+	1.57 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.7 EUR

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 26946 Stücke:

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760+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR

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FDMC4435BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 10763 Stücke:

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8+	2.46 EUR
12+	1.56 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR

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FDMC4435BZ

auf Bestellung 67177 Stücke:

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FDMC4435BZ

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; 31W; MLP8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Power dissipation: 31W
Case: MLP8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2421 Stücke:

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44+	1.64 EUR
52+	1.38 EUR
60+	1.21 EUR
87+	0.83 EUR
102+	0.71 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 44

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FDMC4435BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

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FDMC4435BZ

Description: ONSEMI - FDMC4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 60000 Stücke:

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FDMC4435BZ-F126

MOSFET -30V P-CH PwrTrench

auf Bestellung 23810 Stücke:

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FDMC4435BZ-F126

Trans MOSFET P-CH Si 30V 8.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 4776 Stücke:

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1191+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 1191

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FDMC4435BZ-F126

Description: MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

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FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

auf Bestellung 18596 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

676+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 676

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FDMC4435BZ-F127

MOSFETs -30V P-CH PwrTrench

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FDMC4435BZ-F127

FDMC4435BZ-F127

auf Bestellung 5049 Stücke:

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676+	0.79 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 676

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FDMC4435BZ-F127

Description: P-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET -3
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.2x3.2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.68 EUR
11+	1.7 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC4435BZ-F127-L701

MOSFET P-Channel Power Trench MOSFET -30V, -18A, 20mohm

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ-F127-L701

Description: SINGLE ST3 P Z MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4435BZ_F106

MOSFETs

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FDMC4436BZ

Description: ONSEMI - FDMC4436BZ - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4436BZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 23228 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

841+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 841

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC4D9P20X8

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.01 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 66032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.66 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.18 EUR
500+	1.76 EUR
1000+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: ONSEMI - FDMC510P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.0064 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

MOSFETs 20V P-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.17 EUR
10+	2.85 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.85 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.52 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Description: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7860 pF @ 10 V

auf Bestellung 63000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC510P

auf Bestellung 3942 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC510P

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC510P-F106

MOSFET ST3 20V/8V PCH Power Trench Mosfet

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC510P-F106

Description: ST3 20V/8V PCH ERTREN

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC5614P

MOSFET LOW VOLTAGE

auf Bestellung 5 Stücke:

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FDMC5614P

Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 30 V

auf Bestellung 5490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.6 EUR
13+	1.43 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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FDMC5614P

Trans MOSFET P-CH Si 60V 5.7A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC5614P-B8

MOSFET FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-B8

Description: FET -60V 100.0 MOHM MLP33

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FDMC5614P-L701

Description: MOSFET P-CH 60V 8MLP

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FDMC5614P-L701

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.94 EUR
81+	1.7 EUR
82+	1.63 EUR
100+	1.43 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 5960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.07 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1632 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	1.94 EUR
81+	1.7 EUR
82+	1.63 EUR
100+	1.43 EUR
250+	1.34 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 74

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FDMC610P

Description: ONSEMI - FDMC610P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 80 A, 2800 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2363 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.43 EUR
10+	2.82 EUR
100+	2.2 EUR
250+	2.09 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.64 EUR
3000+	1.56 EUR

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FDMC610P

Description: MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 22A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 6 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC610P

Trans MOSFET P-CH 12V 22A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC610P

auf Bestellung 2159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC610P

MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1633 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC612PZ

MOSFET P-CH. ER TRENCH MOSFET

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

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FDMC612PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 8-MLP

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6296

Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2141 pF @ 15 V

auf Bestellung 20197 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

460+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 460

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FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC6675BZ

MOSFETs -30V 20A P-Channel PowerTrench

auf Bestellung 3396 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.85 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.71 EUR
6000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC6675BZ
Produktcode: 130485

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Description: MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 15 V

auf Bestellung 4933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
11+	1.67 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

123+	1.16 EUR
139+	0.99 EUR
140+	0.95 EUR
164+	0.78 EUR
250+	0.75 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 123

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 9.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

139+	1.03 EUR
140+	0.99 EUR
164+	0.81 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 139

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6675BZ-T

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 20A (Tc)
Vgs (Max): ±25V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6676BZ

Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 192350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2049+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2049

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: ONSEMI - FDMC6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 19828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3024 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

auf Bestellung 19828 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

586+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 586

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

MOSFETs -30V P-Channel Power Trench

auf Bestellung 17969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	1.81 EUR
100+	1.28 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.93 EUR
3000+	0.82 EUR
6000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

586+	0.91 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 586

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6679AZ-P

Description: MOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6680AZ

Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1150+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 1150

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6680AZ

Description: ONSEMI - FDMC6680AZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683

MOSFET

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FDMC6683

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683PZ

Description: 14A, 20V, 0.0084OHM, P-CHANNEL ,

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683PZ

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6683_P

onsemi

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FDMC6686P

MOSFET PT8P 20/8V ER PQFN33

auf Bestellung 10729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC6686P

Description: ONSEMI - FDMC6686P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 56 A, 0.0033 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

auf Bestellung 858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.15 EUR
10+	2.68 EUR
100+	1.84 EUR
500+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC6686P

Description: MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 10 V

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FDMC6686P

auf Bestellung 315 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 6813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 14450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

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FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 2761 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 9964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

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FDMC6688P

MOSFET PT8P 20_8V FROM VANGUARD

auf Bestellung 243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC6688P

Description: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7435 pF @ 10 V

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FDMC6688P

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 10556 Stücke:

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555+	0.97 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 555

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FDMC6688P

auf Bestellung 90 Stücke:

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FDMC6696P

Description: ONSEMI - FDMC6696P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2312 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC6890NZ

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.92W, 1.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFET 3x3mm
Part Status: Active

auf Bestellung 14330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

766+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 766

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FDMC6890NZ

MOSFET 20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2819 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.62 EUR
10+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.74 EUR
3000+	0.69 EUR
9000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7200

Trans MOSFET N-CH 30V 6A/8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.14 EUR
19+	0.93 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.53 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 16

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FDMC7200

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.1 EUR
10+	0.95 EUR
100+	0.66 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.41 EUR
6000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7200

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.67 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.78 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 12817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.18 EUR
13+	1.38 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.72 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Trans MOSFET N-CH 30V 7A/13A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/13A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 13A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.53 EUR
9000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Description: ONSEMI - FDMC7208S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.009 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.009ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 4145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.24 EUR
10+	2.73 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7208S

MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.82 EUR
10+	2.29 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.72 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.33 EUR
3000+	1.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
69+	2.02 EUR
70+	1.91 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.52 EUR
3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

MOSFETs 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 3003 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.64 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.23 EUR
3000+	1.22 EUR
6000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S
Produktcode: 167040

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
69+	2.02 EUR
70+	1.91 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.71 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.52 EUR
3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 68

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4410 pF @ 13 V

auf Bestellung 6533 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.35 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7570S

Trans MOSFET N-CH Si 25V 27A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7572S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 13 V

auf Bestellung 2608 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

265+	1.99 EUR

Mindestbestellmenge: 265

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FDMC7572S

MOSFET 25V 40A 3.2mOhm N-Ch PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 1674 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7582

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7582

Description: MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN

auf Bestellung 300015000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7660

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 9518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.24 EUR
3000+	1.2 EUR
6000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7660

Description: ONSEMI - FDMC7660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 2200 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.97 EUR
6000+	0.91 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

auf Bestellung 2126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.66 EUR
10+	2.35 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	1.64 EUR
500+	1.42 EUR
1000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 327

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FDMC7660

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660

auf Bestellung 2943 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7660

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

327+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 327

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 23873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	1.75 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.35 EUR
10000+	1.16 EUR

Mindestbestellmenge: 306

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 4970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	1.75 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 306

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 974 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	1.75 EUR
500+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 306

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FDMC7660DC

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

auf Bestellung 2704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.61 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC7660DC

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 8117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

306+	1.75 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 306

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FDMC7660DC

MOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 8116 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.6 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.21 EUR
6000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7660DC

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5170 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 5625 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	1.28 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 418

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FDMC7660S

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

MOSFETs 30V N-Chan SyncFET PowerTrench

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC7660S

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

334+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 334

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FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

418+	1.28 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 418

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FDMC7660S

Description: ONSEMI - FDMC7660S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4325 pF @ 15 V

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7660S-TE

FDMC7660S-TE

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

493+	1.09 EUR
547+	0.94 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 493

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

auf Bestellung 826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

MOSFET N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 2804 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7664

Description: MOSFET N-CH 30V 18.8A/24A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.7 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

MOSFETs N-Chan 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 4181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.53 EUR
10+	1.14 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.73 EUR
3000+	0.64 EUR
6000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Description: MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 15 V

auf Bestellung 11181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.69 EUR
13+	1.38 EUR
100+	1.07 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672

Trans MOSFET N-CH 30V 16.9A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

MOSFETs 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.59 EUR
3000+	0.56 EUR
6000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

QFN

auf Bestellung 2044 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 15 V

auf Bestellung 3690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 14.8A

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

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FDMC7672S_F126

Description: MOSFET N-CH 30V

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FDMC7678

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC7678

Description: MOSFET N-CH 30V 17.5A/19.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

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FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

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FDMC7678-L701

Trans MOSFET N-CH Si 30V 17.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7678-L701

Description: PT8 N 30/20V MLP3.3X3.3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V

auf Bestellung 1126 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
14+	1.32 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMC7678-L701

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

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6+	3.34 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.1 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7680

Sensor Cables / Actuator Cables SAIL-VSB-M12G-5.0U

auf Bestellung 3 Stücke:

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1+	56 EUR
10+	48.51 EUR
25+	46.82 EUR
50+	45.13 EUR

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FDMC7680

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FDMC7680

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FDMC7680

Description: MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 14.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2855 pF @ 15 V

auf Bestellung 11422 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

454+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 454

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FDMC7680

Trans MOSFET N-CH 30V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7692

MOSFET N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 59 Stücke:

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FDMC7692

Description: ONSEMI - FDMC7692 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0072 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5118 Stücke:

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FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	0.91 EUR
173+	0.8 EUR
175+	0.76 EUR
205+	0.62 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 157

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FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7692

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC7692

MOSFETs N-Chan, 30/20V PowerTrench

auf Bestellung 37139 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.49 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.81 EUR
1000+	0.66 EUR
3000+	0.62 EUR
6000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7692

Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

173+	0.83 EUR
175+	0.79 EUR
205+	0.65 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.45 EUR
3000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 173

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FDMC7692

Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.46 EUR
15+	1.2 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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FDMC7692
Produktcode: 116194

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Transistoren > MOSFET N-CH

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FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.28 EUR
17+	1.1 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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FDMC7692S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 76828 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1 EUR
10+	0.86 EUR
100+	0.64 EUR
500+	0.5 EUR
1000+	0.39 EUR
3000+	0.3 EUR
6000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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FDMC7692S

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7692S

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.45 EUR
6000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC7692S

QFN

auf Bestellung 2766 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7692S-F126

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7692S-F126

MOSFET 30V N-CHAN 12.5A

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FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7692S-F127

Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP

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FDMC7696

Description: ONSEMI - FDMC7696 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 8500 µohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6212 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7696

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2092 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.13 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR
3000+	0.61 EUR
6000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC7696

QFN

auf Bestellung 2395 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

auf Bestellung 1192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.52 EUR
12+	1.59 EUR
100+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC7696

auf Bestellung 6212 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC7696

Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC7696

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/20A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V

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FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

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FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696_F065

Description: MOSFET N-CH 30V PWR33

auf Bestellung 3656 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC7696_F065

MOSFET Single PT7 N in MLP3.3x3.3 Combo

auf Bestellung 701 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.73 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 687 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.73 EUR
93+	1.49 EUR
94+	1.42 EUR
100+	1.32 EUR
250+	1.22 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.54 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.22 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

auf Bestellung 9885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

310+	1.73 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 310

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC8010

Description: ONSEMI - FDMC8010 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 75 A, 900 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2923 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8010

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 75A; Idm: 120A; 54W; Power33
Kind of channel: enhancement
Case: Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 54W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 120A
Kind of package: reel; tape

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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310+	1.73 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 310

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FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 8997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.75 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.31 EUR

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC8010

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

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10+	2.24 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.37 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.26 EUR

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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3000+	1.41 EUR

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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FDMC8010

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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3000+	1.42 EUR

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FDMC8010

Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R

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83+	1.73 EUR
93+	1.49 EUR
94+	1.42 EUR
100+	1.32 EUR
250+	1.22 EUR
500+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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FDMC8010

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/75A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

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3000+	1.08 EUR
6000+	1.07 EUR

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FDMC8010A

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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170+	2.67 EUR

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FDMC8010A

FDMC8010A

auf Bestellung 6000 Stücke:

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276+	1.95 EUR
500+	1.79 EUR
1000+	1.63 EUR

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FDMC8010A

Description: ONSEMI - FDMC8010A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99

auf Bestellung 6000 Stücke:

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FDMC8010DC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Case: PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 94nC
On-state resistance: 1.89mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 99A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 788A
Kind of package: reel; tape

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FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

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642+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

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FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2280 Stücke:

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642+	0.83 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 642

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FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 9546 Stücke:

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8+	2.31 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.87 EUR

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FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8010DC

Description: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8010DC

MOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom

auf Bestellung 10099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.04 EUR
10+	1.67 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.86 EUR
3000+	0.84 EUR
6000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC8010DC

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 5227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.19 EUR
123+	1.13 EUR
124+	1.07 EUR
126+	1.01 EUR
250+	0.96 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 121

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FDMC8010ET30

MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33

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FDMC8010ET30

FDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com

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FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.04 EUR

Mindestbestellmenge: 249

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FDMC8010ET30

Description: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 43049 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8010ET30

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8015L

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8015L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.2 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC8015L

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Kind of channel: enhancement
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 24W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 18A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 30A
Kind of package: reel; tape

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

151+	0.95 EUR
153+	0.9 EUR
184+	0.72 EUR
250+	0.69 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 151

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Description: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3765 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.65 EUR
13+	1.36 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

133+	1.08 EUR
151+	0.92 EUR
153+	0.87 EUR
184+	0.7 EUR
250+	0.66 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 133

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4502 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.59 EUR
10+	1.32 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.69 EUR
6000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC8015L-L701

MOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8015L-L701

Description: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.47 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8026S

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8026S

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET

auf Bestellung 2130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 837 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

147+	0.98 EUR
168+	0.82 EUR
170+	0.78 EUR
198+	0.65 EUR
500+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 147

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR
6000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8030

Description: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 32195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8030

MOSFETs FPS

auf Bestellung 136 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.97 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.32 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.01 EUR
3000+	0.86 EUR
6000+	0.84 EUR

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FDMC8030

Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 837 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

170+	0.84 EUR
198+	0.7 EUR
500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 170

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FDMC8030

Description: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 8259 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.25 EUR
10+	1.84 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDMC8030

auf Bestellung 32195 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

225+	0.64 EUR
229+	0.6 EUR
232+	0.57 EUR
236+	0.54 EUR
250+	0.51 EUR
500+	0.48 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 225

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.71 EUR
6000+	0.68 EUR
9000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8032L

Description: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 606000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 605000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

626+	0.86 EUR
1000+	0.76 EUR
10000+	0.65 EUR
100000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 626

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FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

222+	0.65 EUR
225+	0.61 EUR
229+	0.58 EUR
232+	0.55 EUR
236+	0.52 EUR
250+	0.49 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 222

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FDMC8032L

Trans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

626+	0.86 EUR
1000+	0.76 EUR
10000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 626

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8032L

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 11970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.72 EUR
13+	1.41 EUR
100+	1.1 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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FDMC8032L

MOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 40013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.69 EUR
10+	5.79 EUR
100+	4.13 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8097AC

Description: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8097AC

MOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 1045 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.22 EUR
10+	5.4 EUR
25+	4.8 EUR
100+	4.19 EUR
250+	3.85 EUR
500+	3.63 EUR
1000+	3.34 EUR

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FDMC8200

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

auf Bestellung 5884 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.9 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.8 EUR
3000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.35 EUR
108+	1.29 EUR
134+	0.99 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.58 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 107

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3099 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.52 EUR
107+	1.3 EUR
108+	1.24 EUR
134+	0.96 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 95

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FDMC8200

Description: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk

auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

583+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 583

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200

Trans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.81 EUR
6000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

FSC 1121+ MLP

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

135+	1.06 EUR
146+	0.95 EUR
147+	0.91 EUR
168+	0.76 EUR
250+	0.73 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 135

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 7335 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.08 EUR
10+	1.5 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.82 EUR
3000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2678 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

146+	0.98 EUR
147+	0.94 EUR
168+	0.79 EUR
250+	0.76 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 146

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)

auf Bestellung 10742 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S

Trans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S-P

Description: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 187651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8200S_F106

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

QFN8

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33

auf Bestellung 2158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8296

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8298

Description: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 159000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.87 EUR
42+	3.36 EUR
43+	3.14 EUR
100+	2.88 EUR
250+	2.48 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 5329 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.94 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 19700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.23 EUR
10+	3.43 EUR
100+	2.39 EUR
250+	2.38 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.81 EUR
3000+	1.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2241 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	3.87 EUR
42+	3.36 EUR
43+	3.14 EUR
100+	2.88 EUR
250+	2.48 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 37

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 153 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8321L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8321LDC

MOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33

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FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
74+	1.79 EUR
100+	1.54 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 68

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FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

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FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 54231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.26 EUR
10+	2.47 EUR
100+	2 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC8321LDC

MOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 3114 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.94 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.65 EUR

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FDMC8321LDC

Trans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R

auf Bestellung 2103 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.13 EUR
74+	1.79 EUR
100+	1.54 EUR
250+	1.44 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 68

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FDMC8321LDC

Description: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 2797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

697+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 697

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FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8327L

MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 51913 Stücke:

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2+	1.87 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.91 EUR
1000+	0.87 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.85 EUR
1000+	0.81 EUR
3000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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FDMC8327L

Description: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8327L

Description: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 7522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.06 EUR
14+	1.3 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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FDMC8327L

Trans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8327L-L701

Description: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.94 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 5740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.47 EUR
10+	2.99 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360L

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8360L

MOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench

auf Bestellung 3453 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.84 EUR
10+	2.62 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.5 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.06 EUR
10+	2.14 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

MOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET

auf Bestellung 2165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.12 EUR
10+	2.25 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1.09 EUR
6000+	1.03 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8360LET40

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8462

MOSFETs 40V N-Channel PowerTrench

auf Bestellung 7338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.68 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.46 EUR
250+	2.38 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.8 EUR
3000+	1.7 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: ONSEMI - FDMC8462 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0058 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Trans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8462

auf Bestellung 2468 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8462

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.1 EUR
10+	2.38 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8554

FAIRCHID

auf Bestellung 6034 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8554

MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.29 EUR
10+	2.22 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	1 EUR

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FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8554

Trans MOSFET N-CH Si 20V 16.5A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC8554

MOSFET 20V N-CH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2281 Stücke:

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FDMC8554

Description: MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 10 V

auf Bestellung 14550 Stücke:

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7+	2.8 EUR
10+	1.89 EUR
100+	1.34 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 410 Stücke:

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272+	0.53 EUR
280+	0.49 EUR
281+	0.47 EUR
296+	0.43 EUR
303+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 272

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FDMC8588

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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FDMC8588

Trans MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8588

MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4536 Stücke:

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FDMC8588A

Description: ONSEMI - FDMC8588A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 12000 Stücke:

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FDMC8588DC

MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 2200 Stücke:

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FDMC8588DC

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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95+	1.5 EUR
103+	1.34 EUR
104+	1.28 EUR
106+	1.21 EUR
250+	1.15 EUR
500+	1.1 EUR
1000+	0.9 EUR

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FDMC86012

MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 3043 Stücke:

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1+	3.64 EUR
10+	2.55 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.5 EUR
3000+	1.49 EUR
6000+	1.17 EUR

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FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

auf Bestellung 1818 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.28 EUR
10+	2.76 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 1545 Stücke:

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172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86012

Description: MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 23A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5075 pF @ 15 V

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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103+	1.39 EUR
104+	1.33 EUR
106+	1.25 EUR
250+	1.2 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 103

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FDMC86012

auf Bestellung 2990 Stücke:

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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FDMC86012

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 14309 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

172+	3.12 EUR
500+	2.86 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 172

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FDMC86102

Description: ONSEMI - FDMC86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0194 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0194ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86102

MOSFETs 100/20V N-Chan PowerTrench

auf Bestellung 2697 Stücke:

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1+	3.61 EUR
10+	2.73 EUR
100+	2.06 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.63 EUR
3000+	1.5 EUR
6000+	1.49 EUR

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FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.52 EUR
10+	2.94 EUR
100+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.34 EUR
6000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.36 EUR
6000+	1.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102

MOSFET 100/20V N-Chan Power Trench

auf Bestellung 166 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC86102

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

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FDMC86102

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	1.76 EUR
83+	1.68 EUR
106+	1.26 EUR
250+	1.15 EUR
500+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 82

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FDMC86102L

Description: ONSEMI - FDMC86102L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.0189 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0189ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 826 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 9071 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.26 EUR
10+	2.08 EUR
100+	1.41 EUR
500+	1.12 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	2.14 EUR
82+	1.7 EUR
83+	1.61 EUR
106+	1.21 EUR
250+	1.11 EUR
500+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 67

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FDMC86102L

auf Bestellung 8351 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102L

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 11032 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.78 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	1.09 EUR
3000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86102L

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.91 EUR
6000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102L

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.12 EUR
6000+	1.04 EUR
9000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2054 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.64 EUR
97+	1.43 EUR
101+	1.32 EUR
110+	1.16 EUR
250+	1.08 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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FDMC86102LZ

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 17986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.28 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86102LZ

Description: ONSEMI - FDMC86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.024 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.01 EUR
6000+	0.94 EUR
9000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86102LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

auf Bestellung 41361 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.54 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.47 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

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FDMC86102LZ

auf Bestellung 12920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86102LZ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 2054 Stücke:

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88+	1.64 EUR
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500+	0.95 EUR
1000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 88

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FDMC86106LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33

auf Bestellung 199808 Stücke:

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FDMC86106LZ

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

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161+	0.89 EUR
176+	0.78 EUR
178+	0.75 EUR
202+	0.63 EUR
250+	0.6 EUR
500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 161

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FDMC86116LZ

Description: ONSEMI - FDMC86116LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.079 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 680 Stücke:

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176+	0.81 EUR
178+	0.78 EUR
202+	0.66 EUR
250+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR

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FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

auf Bestellung 17602 Stücke:

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8+	2.36 EUR
12+	1.49 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC86116LZ

MOSFETs 100V/20V w/Zener NCH PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 14357 Stücke:

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2+	1.99 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.75 EUR
3000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86116LZ

auf Bestellung 8281 Stücke:

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.53 EUR
6000+	0.49 EUR
9000+	0.45 EUR

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FDMC86116LZ

Description: MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 50 V

auf Bestellung 16990 Stücke:

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3000+	0.63 EUR
6000+	0.58 EUR
9000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86116LZ

Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.59 EUR
6000+	0.55 EUR
9000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	1.1 EUR
6000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86139P

MOSFETs PT5 100V/25V Pch Power Trench Mosfet

auf Bestellung 42851 Stücke:

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2+	2.13 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.21 EUR
3000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 496 Stücke:

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75+	1.91 EUR

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FDMC86139P

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1885 Stücke:

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FDMC86139P
Produktcode: 183309

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FDMC86139P

Description: MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 50 V

auf Bestellung 14579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.78 EUR
10+	2.44 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 174000 Stücke:

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3000+	1.56 EUR

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FDMC86139P

Trans MOSFET P-CH 100V 4.4A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.09 EUR
81+	1.72 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 69

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FDMC86139P

Description: ONSEMI - FDMC86139P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.056 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4704 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

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FDMC86160

Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 45 Stücke:

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FDMC86160

Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3240000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

201+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 201

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160

MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 44525 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.43 EUR
10+	2.45 EUR
25+	2.43 EUR
100+	2.13 EUR
250+	2.01 EUR
500+	1.87 EUR
3000+	1.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86160

MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 142 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160

Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

auf Bestellung 428 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.79 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160

Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 2237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.75 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.11 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.87 EUR
3000+	1.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

Description: ONSEMI - FDMC86160ET100 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

auf Bestellung 1700 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

MOSFETs 100V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 6292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.86 EUR
10+	3.24 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.85 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

auf Bestellung 3875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

MOSFET FET 100V 14 MOHM PQFN33

auf Bestellung 2174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86160ET100

Description: MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V

auf Bestellung 27583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.49 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.87 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86183

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V

auf Bestellung 11956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.56 EUR
10+	2.28 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86183

Description: ONSEMI - FDMC86183 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86183

Description: MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86183

MOSFET PTNG 100/20V Nch Trench Mosfet

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC86183

auf Bestellung 4200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86184

Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86184

MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 4851 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC86184

Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V

auf Bestellung 8842 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.21 EUR
10+	2.78 EUR
100+	1.92 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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FDMC86184

Trans MOSFET N-CH 100V 12A 8-Pin PQFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86184

Description: ONSEMI - FDMC86184 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 6400 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 535 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86184

Description: MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86184

auf Bestellung 630 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC86184

MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET

auf Bestellung 31904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.22 EUR
250+	2.04 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.59 EUR
3000+	1.51 EUR

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FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC8622

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC8622

MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	2.11 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.08 EUR
3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC8622

Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V

auf Bestellung 20076 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.82 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC8622

Trans MOSFET N-CH Si 100V 4A 8-Pin MLP EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8622

Description: ONSEMI - FDMC8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.0437 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 31W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0437ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 5378 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC8622

Description: MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 402 pF @ 50 V

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.99 EUR
6000+	0.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC8622-L701

Description: IC
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86240

MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 6769 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86240

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 56625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.42 EUR
10+	3.04 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.74 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

auf Bestellung 15451 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.79 EUR
10+	3.11 EUR
100+	2.16 EUR
500+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7801 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.34 EUR
51+	2.71 EUR
52+	2.58 EUR
100+	2.01 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 60486 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.08 EUR
10+	2.22 EUR
100+	2.04 EUR
500+	1.88 EUR
1000+	1.83 EUR
3000+	1.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 877 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.34 EUR
51+	2.71 EUR
52+	2.58 EUR
100+	2.01 EUR
250+	1.86 EUR
500+	1.56 EUR

Mindestbestellmenge: 43

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86240

Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

On Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33

auf Bestellung 1330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 2,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 345 @ 75; Qg, нКл = 5,9 @ 10 В; Rds = 134 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Id2 = 9,4 А; POWER-33

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

auf Bestellung 12332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.75 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.85 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 4820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.15 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.85 EUR
3000+	0.74 EUR
6000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/9.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.7 EUR
9000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

Trans MOSFET N-CH 150V 2.8A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244

Description: ONSEMI - FDMC86244 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 9.4 A, 0.105 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 12359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244-L701

Description: FET 150V 134.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86244-L701

MOSFET FET 150V 134.0 MOHM MLP33

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FDMC86248

MOSFETs N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm

auf Bestellung 8109 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.83 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.51 EUR
3000+	1.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86248

Description: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V

auf Bestellung 13540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.08 EUR
10+	2.36 EUR
100+	1.85 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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FDMC86248

Trans MOSFET N-CH Si 150V 3.4A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86248

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86248

Description: MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86259P

Description: ONSEMI - FDMC86259P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.107 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86259P

Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V

auf Bestellung 13887 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.54 EUR
10+	3.46 EUR
100+	2.77 EUR
500+	2.47 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86259P

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86259P

MOSFETs PT5 150/25V PchMOSFET

auf Bestellung 4526 Stücke:

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1+	4.4 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.43 EUR
1000+	2.39 EUR
3000+	2.04 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86259P

Description: MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2045 pF @ 75 V

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	2.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.47 EUR
50+	2.79 EUR
51+	2.64 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.84 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

MOSFETs NChan Sngle 150V 16A PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 69505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.2 EUR
10+	1.92 EUR
100+	1.87 EUR
500+	1.85 EUR
1000+	1.83 EUR
3000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 2875 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	3.47 EUR
50+	2.79 EUR
51+	2.64 EUR
100+	2.02 EUR
250+	1.84 EUR
500+	1.6 EUR
1000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

Description: ONSEMI - FDMC86260 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

Description: MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

auf Bestellung 5741 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.98 EUR
10+	3.25 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

auf Bestellung 3320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.62 EUR
97+	1.38 EUR
100+	1.3 EUR
250+	1.23 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 89

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

auf Bestellung 6265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.02 EUR
10+	3.25 EUR
100+	2.25 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.69 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

auf Bestellung 661 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

304+	1.76 EUR
500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 304

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Description: MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 75 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

auf Bestellung 2580 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

89+	1.62 EUR
97+	1.38 EUR
100+	1.3 EUR
250+	1.23 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 89

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET

auf Bestellung 8326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.9 EUR
100+	1.76 EUR
1000+	1.68 EUR
3000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86260ET150

Trans MOSFET N-CH 150V 5.4A 8-Pin Power QFN EP T/R

auf Bestellung 2792 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

304+	1.76 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 304

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V

auf Bestellung 6535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.57 EUR
10+	2.47 EUR
100+	1.79 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 12883 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.34 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.27 EUR
3000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

Trans MOSFET P-CH 150V 2.7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7209 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

Description: MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 75 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86261P

Description: ONSEMI - FDMC86261P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.16 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 7209 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86262P

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

auf Bestellung 23150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.36 EUR
10+	1.1 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.83 EUR
3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86262P

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2911 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 772 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

83+	1.72 EUR
102+	1.35 EUR
107+	1.25 EUR
133+	0.96 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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FDMC86262P

Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V

auf Bestellung 19426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.76 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.18 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

auf Bestellung 772 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.4 EUR
107+	1.3 EUR
133+	1 EUR
250+	0.95 EUR
500+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 102

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FDMC86262P

Description: ONSEMI - FDMC86262P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.4 A, 0.241 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: Power 33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.241ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2911 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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FDMC86262P

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

auf Bestellung 23115 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.42 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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FDMC86262P

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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FDMC86262P

Trans MOSFET P-CH 150V 2A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86262P

Description: MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 307mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 75 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.75 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86265P

MOSFET PT5 150V/25V Pch PowerTrench Mosfet

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.99 EUR
10+	2.69 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.39 EUR
3000+	1.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86265P

Description: MOSFET P-CH 150V 1A/1.8A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.64 EUR
10+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86320

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86320

Trans MOSFET N-CH Si 80V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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FDMC86320

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 5377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	2.92 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
250+	1.8 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.39 EUR
3000+	1.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86320

Description: MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2640 pF @ 40 V

auf Bestellung 5388 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.96 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.86 EUR
9000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 7192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.57 EUR
10+	1.3 EUR
100+	1.07 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

auf Bestellung 3543 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.61 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.94 EUR
6000+	0.86 EUR
9000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86324

Trans MOSFET N-CH Si 80V 7A 8-Pin Power 33 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 0.0065 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench

auf Bestellung 9243 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.17 EUR
10+	2.46 EUR
100+	2.11 EUR
250+	2.02 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.5 EUR
3000+	1.4 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/48A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3885 pF @ 40 V

auf Bestellung 5281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.51 EUR
10+	2.91 EUR
100+	2 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

Trans MOSFET N-CH 80V 14A 8-Pin Power QFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340

Description: ONSEMI - FDMC86340 - Leistungs-MOSFET, Gatter, geschirmt, n-Kanal, 80 V, 48 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3705 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340ET80

MOSFET FET 80V 6.5 MOHM PQFN33

auf Bestellung 5026 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.26 EUR
10+	4.47 EUR
25+	4.4 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.4 EUR
1000+	2.92 EUR
3000+	2.8 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340ET80

Description: ONSEMI - FDMC86340ET80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 4780 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340ET80

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V

auf Bestellung 555 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.58 EUR
10+	3.74 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FDMC86340ET80

Description: MOSFET N-CH 80V 14A/68A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 40 V

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FDMC8651

Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin Power 33 T/R

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FDMC8651

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

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FDMC8651

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 15 V

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FDMC8651

MOSFET 30V N-Channel Power Trench

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FDMC86520DC

MOSFETs 60V N-Chan DualCool PowerTrench MOSFET

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FDMC86520DC

Description: ONSEMI - FDMC86520DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0063 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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FDMC86520DC

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 30 V

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