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FDMC86160

FDMC86160 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin MLP EP T/R
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Technische Details FDMC86160 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86160 FDMC86160 onsemi fdmc86160-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
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FDMC86160 FDMC86160 ONSEMI 2303907.pdf Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1410 Stücke:
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100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
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FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86160 FDMC86160 onsemi / Fairchild fdmc86160-d.pdf MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
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10+2.92 EUR
25+2.89 EUR
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250+2.39 EUR
500+2.23 EUR
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FDMC86160 FDMC86160 onsemi fdmc86160-d.pdf Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
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FDMC86160 FDMC86160 ONSEMI 2303907.pdf Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor / Fairchild FDMC86160_D-2312270.pdf MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
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FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86160 FDMC86160 ON Semiconductor fdmc86160-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86160
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
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FDMC86160
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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500+2.8 EUR
1000+2.52 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
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FDMC86160
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMC86160
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+3.49 EUR
67+2.59 EUR
100+1.99 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.92 EUR
250+2.77 EUR
500+2.48 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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FDMC86160
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 44525 Stücke:
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25+2.89 EUR
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250+2.39 EUR
500+2.23 EUR
3000+2.08 EUR
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FDMC86160
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
auf Bestellung 14309 Stücke:
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500+2.33 EUR
1000+2.3 EUR
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 33608 Stücke:
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10+3.97 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.27 EUR
50+4.96 EUR
100+3.38 EUR
500+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
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