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Technische Details FDMC86160 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: Power 33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote FDMC86160 nach Preis ab 1.51 EUR bis 5.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 18924 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 1976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86160 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 44525 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | onsemi |
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 14309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | onsemi |
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 33608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDMC86160 | ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDMC86160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDMC86160 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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FDMC86160 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: Power 33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.51 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.58 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 210+ | 2.58 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| 1000+ | 2.07 EUR |
| 10000+ | 1.8 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 210+ | 2.58 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| 1000+ | 2.07 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 51+ | 2.86 EUR |
| 67+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.63 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 3.21 EUR |
| 250+ | 2.28 EUR |
| 500+ | 2.03 EUR |
| 1000+ | 1.97 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 44525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 2.45 EUR |
| 25+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 2.13 EUR |
| 250+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.87 EUR |
| 3000+ | 1.75 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 9A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 50 V
auf Bestellung 14309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.33 EUR |
| 10+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.41 EUR |
| 500+ | 1.96 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 33608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.39 EUR |
| 10+ | 3.34 EUR |
| 100+ | 2.36 EUR |
| 500+ | 1.99 EUR |
| 1000+ | 1.94 EUR |
| 3000+ | 1.81 EUR |
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
MOSFET 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| FDMC86160 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMC86160 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| FDMC86160 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - FDMC86160 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)