FDMC86240 ON Semiconductor
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Technische Details FDMC86240 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: MLP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote FDMC86240 nach Preis ab 1.52 EUR bis 4.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC86240 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
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FDMC86240 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86240 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8MLP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
auf Bestellung 16534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDMC86240 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMC86240 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 16 A, 0.0447 ohm, MLP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: MLP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0447ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
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FDMC86240 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FDMC86240 | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 40W; WDFN8 On-state resistance: 97mΩ Power dissipation: 40W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: WDFN8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 16A |
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